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一种HEMT器件及其制备方法
申请人信息
- 申请人:烟台睿创微纳技术股份有限公司
- 申请人地址:264006 山东省烟台市开发区贵阳大街11号
- 发明人: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种HEMT器件及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311695871.5 |
| 申请日 | 2023/12/12 |
| 公告号 | CN117410319B |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H01L29/417 |
| 权利人 | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 |
| 发明人 | 程川; 杨天应; 陈高鹏 |
| 地址 | 山东省烟台市开发区贵阳大街11号 |
摘要文本
本发明涉及半导体领域，为了解决HEMT器件因电荷聚集而出现损伤的问题，公开了一种HEMT器件及其制备方法，包括：衬底；设于所述衬底表面的外延结构层；设于所述外延结构层背离所述衬底表面的源极、漏极和栅极；所述源极与HEMT器件周围的划片道电连接。本发明的HEMT器件中包括衬底、外延结构层、源极、漏极和栅极，源极与HEMT器件周围的划片道电连接。在制备HEMT器件的过程中产生的静电，可以通过源极和划片道之间的电连接通道传输至整个晶圆的表面，使得静电均匀分布在整个晶圆上，避免在单个HEMT器件上出现静电电场过大的情况，从而避免HEMT器件因电荷聚集而出现损伤。 （来 自 专利查询网）
专利主权项内容
1.一种HEMT器件，其特征在于，包括：衬底(1)；设于所述衬底(1)表面的外延结构层(2)；设于所述外延结构层(2)背离所述衬底(1)表面的源极(5)、漏极(4)和栅极(6)；所述源极(5)与HEMT器件周围的划片道(3)电连接；还包括：设于所述源极(5)与所述划片道(3)之间的保护环(17)；其中，所述源极(5)与所述保护环(17)通过第二连接区(18)电连接，所述保护环(17)与所述划片道(3)通过第三连接区(19)电连接。 马 克 数 据 网