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IGBT器件的形成方法及IGBT器件
申请人信息
- 申请人:物元半导体技术(青岛)有限公司
- 申请人地址:266111 山东省青岛市城阳区棘洪滩街道锦盛二路金岭片区社区中心430室
- 发明人: 物元半导体技术(青岛)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | IGBT器件的形成方法及IGBT器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311833405.9 |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117497407A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L21/331 |
| 权利人 | 物元半导体技术(青岛)有限公司 |
| 发明人 | 苏昀兴; 吕昆谚; 黄任生; 颜天才; 杨列勇; 陈为玉; 张天仪 |
| 地址 | 山东省青岛市城阳区棘洪滩街道锦盛二路金岭片区社区中心430室 |
摘要文本
本发明涉及一种IGBT器件的形成方法及IGBT器件，属于半导体制造技术领域，其中，IGBT器件的形成方法包括：在第一晶圆的正面制作MOSFET；在第二晶圆的第一侧的表面形成硬掩模层，另一侧为第二侧；对硬掩模层进行图形化；移除第二晶圆位于第二侧的至少一部分；将第一晶圆的正面和第二晶圆的第二侧进行键合连接；移除第一晶圆的背面的至少一部分；对第一晶圆的背面执行离子注入和退火工艺；基于图形化的硬掩模层，对第二晶圆的第二侧执行刻蚀工艺以形成打开至MOSFET的沟槽；对第一晶圆执行背面金属化工艺。该IGBT器件的形成方法可以减少减薄过程中的缺陷，使得最终IGBT器件可以做到更薄。
专利主权项内容
1.一种IGBT器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一第一晶圆；在所述第一晶圆的一侧表面制作MOSFET，形成有MOSFET的表面为所述第一晶圆的正面，背离所述正面的另一面为所述第一晶圆的背面；提供一第二晶圆；在所述第二晶圆的一侧表面形成硬掩模层，形成有所述硬掩模层的一侧为所述第二晶圆的第一侧，背离所述第一侧的另一侧为所述第二晶圆的第二侧；对所述硬掩模层进行图形化以形成图形化的硬掩模层；移除所述第二晶圆位于所述第二侧的至少一部分；将所述第一晶圆的正面和所述第二晶圆的所述第二侧进行键合连接，以使所述第二晶圆覆盖在所述第一晶圆正面的所述MOSFET之上；移除所述第一晶圆的所述背面的至少一部分；对所述第一晶圆的所述背面执行离子注入和退火工艺；基于图形化的所述硬掩模层，对所述第二晶圆的所述第二侧执行刻蚀工艺以形成打开至所述MOSFET的沟槽；对所述第一晶圆执行背面金属化工艺。