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一种晶圆加工方法及晶圆
申请人信息
- 申请人:物元半导体技术(青岛)有限公司
- 申请人地址:266111 山东省青岛市城阳区棘洪滩街道锦盛二路金岭片区社区中心430室
- 发明人: 物元半导体技术(青岛)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种晶圆加工方法及晶圆 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311852331.3 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117524870A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H01L21/331 |
| 权利人 | 物元半导体技术(青岛)有限公司 |
| 发明人 | 吕昆谚; 黄任生; 颜天才; 杨列勇; 陈为玉 |
| 地址 | 山东省青岛市城阳区棘洪滩街道锦盛二路金岭片区社区中心430室 |
摘要文本
本发明涉及一种晶圆加工方法及晶圆，晶圆加工方法包括：提供晶圆，晶圆的厚度为775um；研磨晶圆背面的边缘区域，以使得边缘区域与中心区域形成一台阶形，研磨边缘区域的宽度为1mm‑5mm，研磨边缘区域的深度为100um‑500um；在晶圆背面沉积形成硬掩膜层，覆盖晶圆背面的边缘区域和中心区域；研磨晶圆背面的中心区域，以使得晶圆背面的中心区域的厚度大于或等于边缘区域的厚度；对晶圆背面研磨后的中心区域进行刻蚀，以使得中心区域的厚度小于边缘区域的厚度，刻蚀后的晶圆背面的中心区域的厚度为30um‑150um；在晶圆背面进行离子注入、退火和金属沉积工艺。本发明解决了晶圆减薄工艺中的破片、表面粗糙的技术问题。
专利主权项内容
1.一种晶圆加工方法，其特征在于，该方法包括：在步骤S10中，提供晶圆，晶圆的厚度为775um；在步骤S20中，研磨晶圆背面的边缘区域，以使得晶圆背面的边缘区域与中心区域形成一台阶形，研磨晶圆背面的边缘区域的宽度为1mm-5mm，研磨晶圆背面的边缘区域的深度为100um-500um；在步骤S30中，在晶圆背面沉积形成硬掩膜层，硬掩膜层覆盖晶圆背面的边缘区域和中心区域；在步骤S40中，研磨晶圆背面的中心区域，研磨晶圆背面中心区域后的中心区域的厚度大于或等于晶圆的边缘区域的厚度；在步骤S50中，对晶圆背面研磨后的中心区域进行刻蚀，以使得晶圆的中心区域的厚度小于晶圆的边缘区域的厚度，刻蚀后的晶圆的中心区域的厚度为30um-150um；以及，在步骤S60中，在晶圆背面进行离子注入、退火和金属沉积工艺。 搜索马 克 数 据 网