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一种超薄、低阻的导电聚合物薄膜及其制备方法
申请人信息
- 申请人:青岛中科华联新材料股份有限公司
- 申请人地址:266510 山东省青岛市黄岛区淮河西路569号
- 发明人: 青岛中科华联新材料股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种超薄、低阻的导电聚合物薄膜及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311270985.5 |
| 申请日 | 2023/9/28 |
| 公告号 | CN117343429A |
| 公开日 | 2024/1/5 |
| IPC主分类号 | C08L23/12 |
| 权利人 | 青岛中科华联新材料股份有限公司 |
| 发明人 | 郅立鹏; 马燕鹏; 姜玉珍; 胡一波; 李光超; 任杰; 赵伟焱 |
| 地址 | 山东省青岛市黄岛区淮河西路569号 |
摘要文本
本发明提供一种超薄、低阻的导电聚合物薄膜及其制备方法，属于锂离子电池技术领域。该隔膜薄膜厚度为2‑5μm，无渗透孔，质量电阻率≤0.17Ω*g/m2，抗拉强度≥100Mpa，常温延伸率≥2.5％，高温延伸率≥5％，光面粗糙度(RA)≤0.4μm，光面粗糙度(RZ)≤1μm，毛面粗糙度(RA)≤0.7μm，毛面粗糙度(RZ)≤1.5μm。其制备方法为：将聚合物和助剂共混形成共混物，挤出成型并拉伸成膜，随后通过硫酸铜溶液进行电镀，使铜在所述膜上进一步生长，即得，优选共混物中加入导电物质。采用本发明的方法降低了制备铜箔工艺的繁琐程度和成本，所制得的铜箔更加轻薄，降低电池能量密度的同时，给铜箔赋予了聚合物的抗冲击性。
专利主权项内容
1.一种超薄、低阻的导电聚合物薄膜，其特征在于，所述薄膜厚度为2-5μm，无渗透孔，质量电阻率≤0.17Ω*g/m，抗拉强度≥100MPa，常温延伸率≥2.5％，高温延伸率≥5％，光面粗糙度(RA)≤0.4μm，光面粗糙度(RZ)≤1μm，毛面粗糙度(RA)≤0.7μm，毛面粗糙度(RZ)≤1.5μm。2