LED外延片及其制备方法、LED芯片及其制备方法
申请人信息
- 申请人:青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
- 申请人地址:048000 山西省晋城市晋城经济技术开发区金鼎路东、顺安街南创新创业产业园10号楼
- 发明人: 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | LED外延片及其制备方法、LED芯片及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311754056.1 |
| 申请日 | 2023/12/20 |
| 公告号 | CN117476831B |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01L33/12 |
| 权利人 | 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司 |
| 发明人 | 张向鹏; 王晓宇; 郭超; 母凤文 |
| 地址 | 山西省晋城市晋城经济技术开发区金鼎路东、顺安街南创新创业产业园10号楼 |
摘要文本
青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种LED外延片及其制备方法、LED芯片及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域。LED外延片包括氮化铝复合衬底，氮化铝复合衬底包括基衬底、氮化镓缓冲层和氮化铝薄膜层，氮化镓缓冲层设于基衬底上，氮化铝薄膜层键合于氮化镓缓冲层上，氮化铝薄膜层为在氮化铝单晶衬底的表面注入氢离子后形成。该LED外延片的制备难度和制备成本低，而且通过在氮化铝单晶衬底的表面注入氢离子后形成的氮化铝薄膜层，并通过键合的方式将氮化铝薄膜层转移至基衬底，形成的氮化铝复合衬底的位错密度至少高于外延生长的氮化铝薄膜一个数量级，提高了LED外延片的质量。
专利主权项内容
1.LED外延片的制备方法，所述LED外延片包括氮化铝复合衬底(300)，所述氮化铝复合衬底(300)包括基衬底(100)、氮化镓缓冲层(101)和氮化铝薄膜层(201)，其特征在于，所述LED外延片的制备方法包括以下步骤：在所述基衬底(100)上制备所述氮化镓缓冲层(101)，在所述基衬底(100)上制备所述氮化镓缓冲层(101)的方法包括以下步骤：在所述基衬底(100)上通过化学气相沉积的方式生长厚度为1um～5um的所述氮化镓缓冲层(101)，所述氮化镓缓冲层(101)的生长温度为700℃～1200℃；在氮化铝单晶衬底(200)的表面注入氢离子，形成所述氮化铝薄膜层(201)和余料层(202)；将所述氮化铝薄膜层(201)键合于所述氮化镓缓冲层(101)形成键合片；对所述键合片进行热处理，将所述余料层(202)与所述氮化铝薄膜层(201)分离，形成所述氮化铝复合衬底(300)和余料衬底；对所述氮化铝复合衬底(300)进行高温退火处理；对高温退火后的所述氮化铝复合衬底(300)进行化学机械抛光，并在所述氮化铝复合衬底(300)上依次制备N型半导体层、量子阱层和P型半导体层，形成所述LED外延片。