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一种硅基氮化铝复合衬底及其制备方法
申请人信息
- 申请人:松山湖材料实验室; 广东中民工业技术创新研究院有限公司
- 申请人地址:523000 广东省东莞市大朗镇屏东路333号
- 发明人: 松山湖材料实验室; 广东中民工业技术创新研究院有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种硅基氮化铝复合衬底及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311567886.3 |
| 申请日 | 2023/11/22 |
| 公告号 | CN117604471A |
| 公开日 | 2024/2/27 |
| IPC主分类号 | C23C14/35 |
| 权利人 | 松山湖材料实验室; 广东中民工业技术创新研究院有限公司 |
| 发明人 | 王新强; 袁冶; 卢同心; 曹家康; 万文婷; 李泰; 罗巍 |
| 地址 | 广东省东莞市大朗镇屏东路333号; 广东省东莞市松山湖园区总部二路2号1栋306室 |
摘要文本
本申请提供一种硅基氮化铝复合衬底及其制备方法，涉及复合材料制备领域。该制备方法包括：采用反应磁控溅射法在硅衬底的表面形成第一氮化铝薄膜，继续采用反应磁控溅射法在第一氮化铝薄膜的表面形成第二氮化铝薄膜，其中第二氮化铝薄膜和第一氮化铝膜薄膜均为柱状晶，重复上述步骤，以获得由第一氮化铝薄膜和第二氮化铝薄膜依次交替呈周期性变化的氮化铝薄膜。通过控制第一氮化铝薄膜和第二氮化铝薄膜的厚度及结晶质量，最终弛豫硅衬底上溅射氮化铝薄膜所具有的张应力，最终获得具有低应力状态且能够应用于射频滤波器等后端器件中的硅基氮化铝复合衬底，有利于提高后端器件的良率与重复性。 关注公众号专利查询网
专利主权项内容
1.一种硅基氮化铝复合衬底的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：在氮气和氩气的第一混合气氛中，采用反应磁控溅射法在硅衬底的表面形成第一氮化铝薄膜；在氮气和氩气的第二混合气氛中，继续采用所述反应磁控溅射法在所述第一氮化铝薄膜的表面形成第二氮化铝薄膜，其中所述第二氮化铝薄膜和所述第一氮化铝膜薄膜均为柱状晶，所述第一混合气氛中氮氩流量比为8～13.4，所述第二混合气氛中的氮氩流量比小于所述第一混合气氛中氮氩流量比，所述第二氮化铝薄膜的厚度小于所述第一氮化铝薄膜的厚度；或者，所述第二混合气氛中的氮氩流量比为8～13.4，所述第二混合气氛中的氮氩流量比大于所述第一混合气氛中氮氩流量比，所述第二氮化铝薄膜的厚度大于所述第一氮化铝薄膜；重复上述步骤，以获得由所述第一氮化铝薄膜和所述第二氮化铝薄膜依次交替呈周期性变化的氮化铝薄膜。