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一种空腔反射层凸起型复合衬底和外延片及其制备方法

申请号: CN202311591552.X
申请人: 广东中图半导体科技股份有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种空腔反射层凸起型复合衬底和外延片及其制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311591552.X
申请日 2023/11/24
公告号 CN117558840A
公开日 2024/2/13
IPC主分类号 H01L33/00
权利人 广东中图半导体科技股份有限公司
发明人 张剑桥; 王农华; 张小琼
地址 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区工业北二路4号

摘要文本

本发明实施例公开了一种空腔反射层凸起型复合衬底和外延片及其制备方法,该空腔反射层凸起型复合衬底制备方法包括:采用金属材料,在基板的一侧表面制备多个第一异质微结构;在基板的一侧表面制备多个第二异质微结构;在各第二异质微结构的外部制备第三异质壳体;在第三异质壳体的顶部开口;通过第三异质壳体的顶部开口,去除第三异质壳体内的第二异质微结构;将第三异质壳体的顶部密封,以使第三异质壳体的内部形成密封的空腔。本发明实施例利用第一异质微结构以及第三异质壳体,构成空腔反射层结构,减少了外延缺陷,提高了外延层晶体质量,由于第一异质微结构的金属反射率,改善了器件出光效率。

专利主权项内容

1.一种空腔反射层凸起型复合衬底的制备方法,其特征在于,包括:采用金属材料,在基板的一侧表面制备多个第一异质微结构;在所述基板的一侧表面制备多个第二异质微结构,所述第二异质微结构包裹至少一个所述第一异质微结构;在各所述第二异质微结构的外部制备第三异质壳体,所述第三异质壳体覆盖所述第二异质微结构的外表面;在所述第三异质壳体的顶部开口;通过所述第三异质壳体的顶部开口,去除所述第三异质壳体内的所述第二异质微结构,并保留被所述第二异质微结构包裹的所述第一异质微结构;将所述第三异质壳体的顶部密封,以使所述第三异质壳体的内部形成密封的空腔。