← 返回列表
一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法
申请人信息
- 申请人:东莞市昱懋纳米科技有限公司
- 申请人地址:523710 广东省东莞市塘厦镇塘厦宏业北路166号1栋102室
- 发明人: 东莞市昱懋纳米科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311806045.3 |
| 申请日 | 2023/12/25 |
| 公告号 | CN117747285A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01F41/02 |
| 权利人 | 东莞市昱懋纳米科技有限公司 |
| 发明人 | 朱政权; 李伟峰; 刘果明 |
| 地址 | 广东省东莞市塘厦镇塘厦宏业北路166号1栋102室 |
摘要文本
东莞市昱懋纳米科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明提供了一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法,属于纳米晶软磁材料技术领域。本发明提供了一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法,包括以下步骤:将纳米晶磁芯进行热处理,得到低磁导率纳米晶磁芯;所述热处理包括:第一升温至340~360℃,保温40~60min;第二升温至420~440℃开始施加磁场,保温40~60min;第三升温至510~530℃,保温20~40min;第四升温至550~570℃,保温80~250min,然后降温至300~320℃停止施加磁场。本发明提供的方法能够使1K107磁芯10kHz和100kHz磁导率降到1~3万。
专利主权项内容
1.一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法,其特征在于,包括以下步骤:将纳米晶磁芯进行热处理,得到低磁导率纳米晶磁芯;所述热处理包括:第一升温至340~360℃,保温40~60min;第二升温至420~440℃开始施加磁场,保温40~60min;第三升温至510~530℃,保温20~40min;第四升温至550~570℃,保温80~250min,然后降温至300~320℃停止施加磁场。