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一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法

申请号: CN202311806045.3
申请人: 东莞市昱懋纳米科技有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311806045.3
申请日 2023/12/25
公告号 CN117747285A
公开日 2024/3/22
IPC主分类号 H01F41/02
权利人 东莞市昱懋纳米科技有限公司
发明人 朱政权; 李伟峰; 刘果明
地址 广东省东莞市塘厦镇塘厦宏业北路166号1栋102室

摘要文本

东莞市昱懋纳米科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明提供了一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法,属于纳米晶软磁材料技术领域。本发明提供了一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法,包括以下步骤:将纳米晶磁芯进行热处理,得到低磁导率纳米晶磁芯;所述热处理包括:第一升温至340~360℃,保温40~60min;第二升温至420~440℃开始施加磁场,保温40~60min;第三升温至510~530℃,保温20~40min;第四升温至550~570℃,保温80~250min,然后降温至300~320℃停止施加磁场。本发明提供的方法能够使1K107磁芯10kHz和100kHz磁导率降到1~3万。

专利主权项内容

1.一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法,其特征在于,包括以下步骤:将纳米晶磁芯进行热处理,得到低磁导率纳米晶磁芯;所述热处理包括:第一升温至340~360℃,保温40~60min;第二升温至420~440℃开始施加磁场,保温40~60min;第三升温至510~530℃,保温20~40min;第四升温至550~570℃,保温80~250min,然后降温至300~320℃停止施加磁场。