← 返回列表

一种用于碳化硅晶圆的激光退火系统和方法

申请号: CN202311422468.5
申请人: 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种用于碳化硅晶圆的激光退火系统和方法
专利类型 发明授权
申请号 CN202311422468.5
申请日 2023/10/31
公告号 CN117174622B
公开日 2024/2/6
IPC主分类号 H01L21/67
权利人 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司
发明人 戴科峰; 程远贵; 吴国发
地址 广东省佛山市南海区桂城街道港口路23号20座102房之一

摘要文本

季华恒一(佛山)半导体科技有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术,本申请涉及激光退火领域,具体而言,涉及一种用于碳化硅晶圆的激光退火系统和方法,其中系统包括工艺台、机械手、扫描装置、激光源、第一驱动机构和控制器,控制器还用于在对碳化硅晶圆进行激光退火处理前,获取碳化硅晶圆的厚度信息;根据厚度信息、标准厚度信息、标准退火距离信息和标准光斑大小信息确定扫描步长和扫描速度,或者,根据厚度信息和标准厚度信息调节激光源的高度以使实际光斑大小达到标准光斑大小。本申请的用于碳化硅晶圆的激光退火系统和方法能解决使用相同参数对不同厚度的碳化硅晶圆进行退火导致退火效果不同且部分碳化硅晶圆加工质量差的问题,达到不同厚度的碳化硅晶圆上的退火效果相同且加工质量好的效果。

专利主权项内容

1.一种用于碳化硅晶圆的激光退火系统,其特征在于,包括:工艺台(100),用于承托所述碳化硅晶圆;机械手(200),用于取放所述工艺台(100)上的碳化硅晶圆;扫描装置(210),安装在所述机械手(200)上,用于在所述机械手(200)将所述碳化硅晶圆放置在所述工艺台(100)上前,扫描该碳化硅晶圆的厚度信息;激光源(300),安装在所述工艺台(100)上方,用于产生退火光束以对所述工艺台(100)上的碳化硅晶圆进行加热;第一驱动机构(400),用于驱动所述工艺台(100)水平位移;控制器,用于在所述激光源(300)对所述碳化硅晶圆进行加热时根据扫描步长和扫描速度控制所述第一驱动机构(400)驱动所述工艺台(100)水平位移以对该碳化硅晶圆进行激光退火处理;所述控制器还用于在对所述碳化硅晶圆进行激光退火处理前,获取该碳化硅晶圆的厚度信息;所述控制器还用于根据所述厚度信息、标准厚度信息、标准退火距离信息和标准光斑大小信息确定实际光斑大小以确定所述扫描步长和所述扫描速度;所述确定所述扫描步长和所述扫描速度的过程包括根据所述实际光斑大小、所述标准光斑大小信息、预设扫描步长和预设扫描速度确定所述扫描步长和所述扫描速度。