半导体装置
申请人信息
- 申请人:海信家电集团股份有限公司
- 申请人地址:528300 广东省佛山市顺德区容桂街道容港路8号
- 发明人: 海信家电集团股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体装置 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311556338.0 |
| 申请日 | 2023/11/20 |
| 公告号 | CN117637830A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01L29/739 |
| 权利人 | 海信家电集团股份有限公司 |
| 发明人 | 刘恒; 陈道坤; 周文杰; 张永旺; 储金星; 杨晶杰; 刘子俭; 梁孟 |
| 地址 | 广东省佛山市顺德区容桂街道容港路8号 |
摘要文本
海信家电集团股份有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：基体；漂移层；第一沟槽，间隔沟槽包括两个在第一方向上间隔设置的子沟槽部，子沟槽部包括多个栅极沟槽组和多个假栅沟槽；第二沟槽，第二沟槽在第一方向间隔设置于两个子沟槽部之间；第一连接沟槽，两个第一连接沟槽中的一个将多个第二沟槽第一方向的一端连接，另一个将多个第二沟槽第一方向的另一端连接；第二连接沟槽，第二连接沟槽将栅极沟槽组中的栅极沟槽邻近第二沟槽的一端连接，且将相邻两个栅极沟槽组邻近第二沟槽的一端连接。由此，不仅可以防止绝缘栅双极晶体管区域与快恢复二极管区域在制程上互相干扰，保证两个区域各自的性能，而且可以提高半导体装置的通流能力。
专利主权项内容
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：基体(80)，所述基体(80)具有第一主面(81)及与第一主面(81)相反侧的第二主面(82)；第一导电类型的漂移层(10)，所述漂移层(10)设于第一主面(81)和第二主面(82)之间；第一沟槽(20)，所述第一沟槽(20)从所述第一主面(81)朝向所述第二主面(82)延伸且到达所述漂移层(10)中，所述第一沟槽(20)在第一方向上延伸设置且为多个，多个所述第一沟槽(20)在第二方向上间隔设置，多个所述第一沟槽(20)中的部分为间隔沟槽(21)；所述间隔沟槽(21)包括两个在第一方向上间隔设置的子沟槽部(221)，所述子沟槽部(221)包括多个栅极沟槽组(222)和多个假栅沟槽(223)，多个所述栅极沟槽组(222)在第二方向上间隔设置，相邻两个所述栅极沟槽组(222)之间设置有至少一个所述假栅沟槽(223)，所述栅极沟槽组(222)包括至少两个第二方向间隔设置的栅极沟槽(2221)，其中，所述栅极沟槽(2221)与所述半导体装置(100)的栅极电连接，所述假栅沟槽(223)与所述半导体装置(100)的发射极电连接；第二沟槽(30)，所述第二沟槽(30)从所述第一主面(81)朝向所述第二主面(82)延伸且到达所述漂移层(10)中，所述第二沟槽(30)在第一方向上延伸设置，所述第二沟槽(30)部为多个且在第二方向上相互间隔，所述第二沟槽(30)在第一方向间隔设置于两个所述子沟槽部(221)之间；第一连接沟槽(40)，所述第一连接沟槽(40)从所述第一主面(81)朝向所述第二主面(82)延伸且到达所述漂移层(10)中，所述第一连接沟槽(40)在第二方向上延伸设置，所述第一连接沟槽(40)为两个，两个所述第一连接沟槽(40)中的一个将多个所述第二沟槽(30)第一方向的一端连接，另一个将多个所述第二沟槽(30)第一方向的另一端连接；第二连接沟槽(50)，所述第二连接沟槽(50)从所述第一主面(81)朝向所述第二主面(82)延伸且到达所述漂移层(10)中，所述第二连接沟槽(50)在第二方向上延伸设置，所述第二连接沟槽(50)将栅极沟槽组(22)中的所述栅极沟槽(2221)邻近所述第二沟槽(30)的一端连接，且将相邻两个所述栅极沟槽组(222)邻近所述第二沟槽(30)的一端连接。