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半导体装置

申请号: CN202311556312.6
申请人: 海信家电集团股份有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 半导体装置
专利类型 发明申请
申请号 CN202311556312.6
申请日 2023/11/20
公告号 CN117637829A
公开日 2024/3/1
IPC主分类号 H01L29/739
权利人 海信家电集团股份有限公司
发明人 刘恒; 陈道坤; 杨晶杰; 储金星; 周文杰
地址 广东省佛山市顺德区容桂街道容港路8号

摘要文本

海信家电集团股份有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术,本发明公开了一种半导体装置,半导体装置包括:半导体基体;漂移层;环层;主沟槽部,主沟槽部设置于环层且在第一方向上延伸设置,主沟槽部包括多个栅极沟槽组和多个假栅沟槽部,多个栅极沟槽组在第二方向上间隔设置,相邻两个栅极沟槽组之间设置有至少一个假栅沟槽部,栅极沟槽组包括至少两个第二方向间隔设置的栅极沟槽部;连接沟槽部,连接沟槽部设置于环层且在第二方向上延伸设置,连接沟槽部位于半导体装置的有源区的边缘,连接沟槽部将每个栅极沟槽组中至少两个栅极沟槽部的至少一端连通。由此,不仅可以优化半导体装置的电场分布,提高半导体装置的静电防护能力和绝缘击穿耐压能力,而且可以提高半导体装置的开通速度,降低开通损耗。

专利主权项内容

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:半导体基体,具有第一主面及与所述第一主面相反的第二主面;漂移层,所述漂移层设置于所述半导体基体且位于所述第一主面和所述第二主面之间;环层,所述环层设置于所述漂移层朝向所述第一主面的一侧,所述环层远离所述漂移层的一侧表面构成所述第一主面的部分;主沟槽部,所述主沟槽部设置于所述环层且在第一方向上延伸设置,所述主沟槽部包括多个栅极沟槽组和多个假栅沟槽部,多个所述栅极沟槽组在第二方向上间隔设置,相邻两个所述栅极沟槽组之间设置有至少一个所述假栅沟槽部,所述栅极沟槽组包括至少两个第二方向间隔设置的栅极沟槽部;连接沟槽部,所述连接沟槽部设置于所述环层且在第二方向上延伸设置,所述连接沟槽部位于所述半导体装置的有源区的边缘,所述连接沟槽部将每个所述栅极沟槽组中至少两个所述栅极沟槽部的至少一端连通,其中,所述第一方向垂直于所述第二方向。