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半导体装置

申请号: CN202311284468.3
申请人: 海信家电集团股份有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 半导体装置
专利类型 发明申请
申请号 CN202311284468.3
申请日 2023/9/28
公告号 CN117374120A
公开日 2024/1/9
IPC主分类号 H01L29/78
权利人 海信家电集团股份有限公司
发明人 张永旺; 陈道坤; 刘恒; 储金星; 杨晶杰; 刘子俭; 周文杰
地址 广东省佛山市顺德区容桂街道容港路8号

摘要文本

海信家电集团股份有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术,本发明公开了一种半导体装置,半导体装置包括:第一导电类型的漂移层;第二导电类型的体区;沟槽部;第一导电类型的发射极区,发射极区设置于体区上表面且位于相邻两个沟槽部之间,在俯视观察时,沟槽部在第二方向上延伸,相邻两个沟槽部之间设置有多个在第二方向上间隔设置的发射极区,在从第二方向的中间向两侧延伸的方向上,相邻两个发射极区之间的距离逐渐减小,其中,第一方向和第二方向相互垂直。由此,这样可以优化发射极区的设置位置,使发射极区的设置位置与半导体装置不同位置的散热能力相匹配,可以提升半导体装置的散热均匀性,保证半导体装置结温一致,提高半导体装置的工作热稳定性。

专利主权项内容

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:第一导电类型的漂移层;第二导电类型的体区,所述体区设置于所述漂移层的上表面;沟槽部,所述沟槽部设置于所述体区的上表面,所述沟槽部向下贯穿所述体区,所述沟槽部到达所述漂移层,所述沟槽部为多个,多个所述沟槽部在第一方向上间隔设置;第一导电类型的发射极区,所述发射极区设置于所述体区上表面,所述发射极区位于相邻两个所述沟槽部之间,在俯视观察时,所述沟槽部在第二方向上延伸,相邻两个所述沟槽部之间设置有多个在第二方向上间隔设置的所述发射极区,在从第二方向的中间向两侧延伸的方向上,相邻两个所述发射极区之间的距离逐渐减小,其中,所述第一方向和所述第二方向相互垂直。