半导体装置
申请人信息
- 申请人:海信家电集团股份有限公司
- 申请人地址:528300 广东省佛山市顺德区容桂街道容港路8号
- 发明人: 海信家电集团股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体装置 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311556201.5 |
| 申请日 | 2023/11/20 |
| 公告号 | CN117637828A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01L29/739 |
| 权利人 | 海信家电集团股份有限公司 |
| 发明人 | 杨晶杰; 陈道坤; 储金星; 张永旺; 刘恒; 周文杰 |
| 地址 | 广东省佛山市顺德区容桂街道容港路8号 |
摘要文本
海信家电集团股份有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：第一导电类型的漂移层；第一沟槽，多个第一沟槽中的一部分为第一间隔沟槽，第一间隔沟槽为多个且包括间隔设置的第一子沟槽和第二子沟槽；第二沟槽，第二沟槽间隔设置于第一子沟槽和第二子沟槽之间，第二沟槽为多个且与多个第一间隔沟槽一一对应；第一连接沟槽，两个第一连接沟槽中的一个将多个第二沟槽的一端连接，另一个将多个第二沟槽的另一端连接。由此，第一连接沟槽可以将多个第二沟槽围闭，将绝缘栅双极晶体管区域和快恢复二极管区域分隔开，防止绝缘栅双极晶体管区域与快恢复二极管区域在制程上互相干扰，保证两个区域各自的性能，提升半导体装置的可靠性。
专利主权项内容
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：基体(80)，所述基体(80)具有第一主面(81)及与第一主面(81)相反侧的第二主面(82)；第一导电类型的漂移层(10)，所述漂移层(10)设于第一主面(81)和第二主面(82)之间；第一沟槽(20)，所述第一沟槽(20)从所述第一主面(81)朝向所述第二主面(82)延伸且到达所述漂移层(10)中，所述第一沟槽(20)在第一方向上延伸设置且为多个，多个所述第一沟槽(20)在第二方向上间隔设置，多个所述第一沟槽(20)中的一部分为第一间隔沟槽(21)，所述第一间隔沟槽(21)为多个包括在第一方向间隔设置的第一子沟槽(211)和第二子沟槽(212)；第二沟槽(30)，所述第二沟槽(30)从所述第一主面(81)朝向所述第二主面(82)延伸且到达所述漂移层(10)中，所述第二沟槽(30)在第一方向上延伸设置且为多个，所述第二沟槽(30)在第一方向间隔设置于所述第一子沟槽(211)和所述第二子沟槽(212)之间；第一连接沟槽(40)，所述第一连接沟槽(40)从所述第一主面(81)朝向所述第二主面(82)延伸且到达所述漂移层(10)中，所述第一连接沟槽(40)在第二方向上延伸设置，所述第一连接沟槽(40)为两个，两个所述第一连接沟槽(40)中的一个将多个所述第二沟槽(30)的一端连接，另一个将多个所述第二沟槽(30)的另一端连接。 数据由马 克 数 据整理