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半导体装置

申请号: CN202311440320.4
申请人: 海信家电集团股份有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 半导体装置
专利类型 发明申请
申请号 CN202311440320.4
申请日 2023/10/31
公告号 CN117650165A
公开日 2024/3/5
IPC主分类号 H01L29/739
权利人 海信家电集团股份有限公司
发明人 刘子俭; 陈道坤; 储金星; 周文杰; 张永旺; 刘恒; 杨晶杰; 何濠启; 史世平; 邹苹
地址 广东省佛山市顺德区容桂街道容港路8号

摘要文本

海信家电集团股份有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术,本发明公开了一种半导体装置,半导体装置包括:第一导电类型的漂移层;第二导电类型的阱区;介质层,介质层设置于阱区的上表面;栅极焊盘,栅极焊盘设置于介质层上表面;场截止层,场截止层设置于漂移层的下表面;第二导电类型的集电极层,集电极层设置于场截止层的下表面,集电极层的至少部分设置有发射极层,发射极层位于半导体装置的快恢复二极管区域中,发射极层与栅极焊盘上下对应。由此,通过在集电极层对应栅极焊盘的下方设置发射极层,这样不仅可以使半导体装置反向导通,而且还可以提高半导体装置的集成度,从而在实现半导体装置反向导通的同时,缩小半导体装置的尺寸。

专利主权项内容

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:第一导电类型的漂移层(1);第二导电类型的阱区(101),所述阱区(101)设置于所述漂移层(1)且上表面构成所述漂移层(1)上表面的至少部分;介质层(9),所述介质层(9)设置于所述阱区(101)的上表面;栅极焊盘(2),所述栅极焊盘(2)设置于所述介质层(9)的上表面;场截止层(3),所述场截止层(3)设置于所述漂移层(1)的下表面;第二导电类型的集电极层(4),所述集电极层(4)设置于所述场截止层(3)的下表面,所述集电极层(4)的至少部分设置有发射极层(5),所述集电极层(4)位于所述半导体装置(100)的绝缘栅双极晶体管区域中,所述发射极层(5)位于所述半导体装置(100)的快恢复二极管区域中,所述发射极层(5)与所述栅极焊盘(2)上下对应。