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半导体装置

申请号: CN202311441714.1
申请人: 海信家电集团股份有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 半导体装置
专利类型 发明申请
申请号 CN202311441714.1
申请日 2023/10/31
公告号 CN117650166A
公开日 2024/3/5
IPC主分类号 H01L29/739
权利人 海信家电集团股份有限公司
发明人 刘恒; 陈道坤; 周文杰; 张永旺; 储金星; 杨晶杰; 刘子俭
地址 广东省佛山市顺德区容桂街道容港路8号

摘要文本

海信家电集团股份有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术,本发明公开了一种半导体装置,半导体装置包括:第一导电类型的漂移层;沟槽部,多个沟槽部在第二方向上间隔设置且形成栅极沟槽组和假栅沟槽组,栅极沟槽组和假栅沟槽组在第二方向上交替设置;第一导电类型的场截止层;第二导电类型的集电极层,集电极层设置于场截止层的下表面,集电极层内设置有第一导电类型的第一发射极层,第一发射极层与假栅沟槽组上下对应。由此,通过使第一发射极层与假栅沟槽组上下对应,这样可以充分利用假栅区域,无需单独设置第二半导体器件类型区域,使假栅区域也可以作为第二半导体器件类型区域使用,减小半导体装置的面积,提高半导体装置的工作性能,降低半导体装置的生产成本。。关注公众号专利查询网

专利主权项内容

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:第一导电类型的漂移层(10);沟槽部(20),所述沟槽部(20)从所述漂移层(10)的上表面向下延伸,所述沟槽部(20)在第一方向上延伸设置且为多个,多个所述沟槽部(20)在第二方向上间隔设置且形成栅极沟槽组(21)和假栅沟槽组(22),所述栅极沟槽组(21)和所述假栅沟槽组(22)在第二方向上交替设置;第一导电类型的场截止层(11),所述场截止层(11)设置于所述漂移层(10)的下表面;第二导电类型的集电极层(12),所述集电极层(12)设置于所述场截止层(11)的下表面,所述集电极层(12)内设置有第一导电类型的第一发射极层(13),所述第一发射极层(13)与所述假栅沟槽组(22)上下对应。