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半导体装置和半导体装置的制造方法

申请号: CN202311553872.6
申请人: 海信家电集团股份有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 半导体装置和半导体装置的制造方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311553872.6
申请日 2023/11/20
公告号 CN117637827A
公开日 2024/3/1
IPC主分类号 H01L29/739
权利人 海信家电集团股份有限公司
发明人 杨晶杰; 陈道坤; 储金星; 张永旺; 刘恒; 周文杰
地址 广东省佛山市顺德区容桂街道容港路8号

摘要文本

海信家电集团股份有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术,本发明公开了一种半导体装置和半导体装置的制造方法,半导体装置包括:基体;第一导电类型的漂移层;第二导电类型的体层,体层设置于漂移层朝向第一主面的一侧;沟槽,沟槽从第一主面朝向第一方向延伸,沟槽为多个,多个沟槽在第二方向上间隔设置,多个沟槽包括第一沟槽和第二沟槽,第一沟槽从第一主面朝向第一方向延伸至漂移层中,第二沟槽第一方向远离第一主面的一端间隔设置于漂移层朝向第一主面的一侧。由此,可以减小Cgc,增加Cge/Cgc比值,不仅可以提高半导体装置的通断速度,降低通断损耗,而且可以避免由于栅极电压震荡导致的误开启,提升半导体装置的可靠性。

专利主权项内容

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:基体(10),所述基体(10)具有第一主面(101)和第二主面(102),所述第一主面(101)和所述第二主面(102)在第一方向上相互间隔;第一导电类型的漂移层(11),所述漂移层(11)设置于所述基体(10)且位于所述第一主面(101)和所述第二主面(102)之间;第二导电类型的体层(12),所述体层(12)设置于所述漂移层(11)朝向所述第一主面(101)的一侧,所述体层(12)邻近所述第一主面(101)的一侧构成所述第一主面(101)的一部分;沟槽(16),所述沟槽(16)从所述第一主面(101)朝向第一方向延伸,所述沟槽(16)为多个,多个所述沟槽(16)在第二方向上间隔设置,多个所述沟槽(16)包括第一沟槽(161)和第二沟槽(162),所述第一沟槽(161)从所述第一主面(101)朝向第一方向延伸至所述漂移层(11)中,所述第二沟槽(162)第一方向远离所述第一主面(101)的一端间隔设置于所述漂移层(11)朝向所述第一主面(101)的一侧。