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半导体装置

申请号: CN202311118917.7
申请人: 海信家电集团股份有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 半导体装置
专利类型 发明申请
申请号 CN202311118917.7
申请日 2023/8/31
公告号 CN117497574A
公开日 2024/2/2
IPC主分类号 H01L29/739
权利人 海信家电集团股份有限公司
发明人 刘子俭; 陈道坤; 储金星; 张永旺; 刘恒; 杨晶杰; 周文杰
地址 广东省佛山市顺德区容桂街道容港路8号

摘要文本

海信家电集团股份有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术,本发明公开了一种半导体装置,半导体装置包括:第一导电类型的漂移层;第二导电类型的基区;沟槽部;第一导电类型的发射区,发射区设置于基区内;接触孔,发射区和基区在相邻两个沟槽部之间构成第一单元和第二单元;在俯视观察时,第一单元和第二单元在第二方向交替设置,第一单元包括第一基区和第一发射区,第一基区位于接触孔的第一侧,第一发射区位于接触孔的第二侧,第二单元包括第二基区和第二发射区,第二基区位于接触孔的第二侧,第二发射区位于接触孔的第一侧。由此,可以使半导体装置在通电的情况下,热量更加均匀地产生和分布,从而达到提高散热效率,使结温在相同工作条件下更稳定地维持在更低水平,进而改进开关特性,提高稳定性。

专利主权项内容

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:第一导电类型的漂移层;第二导电类型的基区,所述基区设置于所述漂移层的上表面;沟槽部,所述沟槽部设置于所述基区的上表面且向下延伸贯穿所述基区,所述沟槽部为多个,多个所述沟槽部在第一方向上间隔设置;第一导电类型的发射区,所述发射区设置于所述基区内,所述发射区的上表面构成所述基区上表面的至少部分;接触孔,所述接触孔设置于所述基区的上方且位于相邻的两个所述沟槽部之间,所述接触孔在第二方向上延伸设置,所述发射区和所述基区在相邻两个所述沟槽部之间构成第一单元和第二单元;在俯视观察时,所述第一单元和所述第二单元在所述第二方向交替设置,所述第一单元包括第一基区和第一发射区,所述第一基区位于所述接触孔的第一侧,所述第一发射区位于所述接触孔的第二侧,所述第二单元包括第二基区和第二发射区,所述第二基区位于所述接触孔的第二侧,所述第二发射区位于所述接触孔的第一侧,其中,所述第一方向和所述第二方向相互垂直,所述第一侧和所述第二侧分别位于所述接触孔第一方向的两侧。 (来源 马克数据网)