半导体装置和半导体装置的制造方法
申请人信息
- 申请人:海信家电集团股份有限公司
- 申请人地址:528300 广东省佛山市顺德区容桂街道容港路8号
- 发明人: 海信家电集团股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311556350.1 |
| 申请日 | 2023/11/20 |
| 公告号 | CN117637831A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01L29/739 |
| 权利人 | 海信家电集团股份有限公司 |
| 发明人 | 张永旺; 陈道坤; 杨晶杰; 储金星; 刘恒; 刘子俭; 周文杰 |
| 地址 | 广东省佛山市顺德区容桂街道容港路8号 |
摘要文本
海信家电集团股份有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种半导体装置和半导体装置的制造方法，半导体装置包括：基体；第一导电类型的漂移层；第二导电类型的阱层；第二导电类型的基极层，基极层和阱层在第二方向上排布，阱层的深度大于基极层的深度；第一沟槽，第一沟槽设置于过渡区，第一沟槽的深度从第一主面朝向第一方向延伸，第一沟槽在第二方向上位于阱层和基极层之间，第一沟槽第二方向的两侧分别与阱层和基极层相接触。由此，通过设置第一沟槽，使第一沟槽位于阱层和基极层之间，这样第一沟槽可以阻挡阱层的第二导电类型掺杂剂朝向基极层扩散，避免在过渡区形成曲面，可以优化过渡区的电场分布，避免电场集中，从而可以提升半导体装置的可靠性，可以增大半导体装置的安全工作区。 来自马-克-数-据-官网
专利主权项内容
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：基体(70)，所述基体(70)具有第一主面(71)和第二主面(72)，所述第一主面(71)和所述第二主面(72)在第一方向上相互间隔；第一导电类型的漂移层(10)，所述漂移层(10)设置于所述基体(70)且位于所述第一主面(71)和所述第二主面(72)之间；第二导电类型的阱层(11)，所述阱层(11)设置于所述漂移层(10)朝向所述第一主面(71)的一侧对应所述半导体装置(100)的过渡区(102)的部分，所述阱层(11)邻近所述第一主面(71)的一侧构成所述第一主面(71)的一部分，所述阱层(11)的长度在第二方向上延伸且深度在第一方向上延伸；第二导电类型的基极层(12)，所述基极层(12)设置于所述漂移层(10)朝向所述第一主面(71)的一侧，所述基极层(12)的长度在第二方向上延伸且从所述半导体装置(100)的有源区(101)延伸至所述半导体装置(100)的过渡区(102)，所述基极层(12)邻近所述第一主面(71)的一侧构成所述第一主面(71)的一部分，所述基极层(12)的深度在第一方向上延伸，所述基极层(12)和所述阱层(11)在第二方向上排布，所述阱层(11)的深度大于所述基极层(12)的深度；第一沟槽(20)，所述第一沟槽(20)设置于所述过渡区(102)，所述第一沟槽(20)的深度从所述第一主面(71)朝向第一方向延伸，所述第一沟槽(20)的长度在第三方向上延伸，所述第一沟槽(20)在第二方向上位于所述阱层(11)和所述基极层(12)之间，所述第一沟槽(20)第二方向的两侧分别与所述阱层(11)和所述基极层(12)相接触，其中，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向相互垂直。