半导体装置和半导体装置的制造方法
申请人信息
- 申请人:海信家电集团股份有限公司
- 申请人地址:528300 广东省佛山市顺德区容桂街道容港路8号
- 发明人: 海信家电集团股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311433549.5 |
| 申请日 | 2023/10/31 |
| 公告号 | CN117650161A |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | H01L29/739 |
| 权利人 | 海信家电集团股份有限公司 |
| 发明人 | 刘恒; 陈道坤; 周文杰; 张永旺; 储金星; 杨晶杰; 刘子俭 |
| 地址 | 广东省佛山市顺德区容桂街道容港路8号 |
摘要文本
海信家电集团股份有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种半导体装置和半导体装置的制造方法，半导体装置包括：第一导电类型的漂移层；第一导电类型的场截止层；第二导电类型的集电极层；第一导电类型的第一发射极层，集电极层周向环绕设置于第一发射极层的外侧；第二导电类型的环层，环层与集电极层和第一发射极层的交界处相对应，环层内设置有多个沟槽部；第二导电类型的阱层，阱层设置于环层两侧且至少部分地与集电极层和第一发射极层相对应，阱层对应集电极层的部分设置有多个沟槽部。由此，在保证半导体装置的耐压能力的前提下，提高第二半导体器件类型区域的导通压降，提升半导体装置的工作性能。
专利主权项内容
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一导电类型的漂移层(10)；第一导电类型的场截止层(20)，所述场截止层(20)设置于所述漂移层(10)的下表面；第二导电类型的集电极层(21)，所述集电极层(21)设置于所述场截止层(20)的下表面；第一导电类型的第一发射极层(22)，所述第一发射极层(22)设置于所述场截止层(20)的下表面，所述集电极层(21)周向环绕设置于所述第一发射极层(22)的外侧；第二导电类型的环层(31)，所述环层(31)设置于所述漂移层(10)内，所述环层(31)的上表面构成所述漂移层(10)上表面的至少部分，所述环层(31)与所述集电极层(21)和所述第一发射极层(22)的交界处相对应，所述环层(31)内设置有多个沟槽部(40)；第二导电类型的阱层(30)，所述阱层(30)设置于所述漂移层(10)内，所述阱层(30)的上表面构成所述漂移层(10)上表面的至少部分，所述阱层(30)设置于所述环层(31)两侧且至少部分地与所述集电极层(21)和所述第一发射极层(22)相对应，所述阱层(30)对应所述集电极层(21)的部分设置有多个沟槽部(40)。