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双色势垒型GaSb基InAs/InAsSb异质结光电晶体管及制备方法
申请人信息
- 申请人:广州市南沙区北科光子感知技术研究院; 北京信息科技大学
- 申请人地址:511400 广东省广州市南沙区望江二街4号601房之03室
- 发明人: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院; 北京信息科技大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 双色势垒型GaSb基InAs/InAsSb异质结光电晶体管及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311563148.1 |
| 申请日 | 2023/11/22 |
| 公告号 | CN117747691A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L31/101 |
| 权利人 | 广州市南沙区北科光子感知技术研究院; 北京信息科技大学 |
| 发明人 | 祝连庆; 巩明亮; 鹿利单; 董明利; 刘炳锋; 何彦霖; 张旭 |
| 地址 | 广东省广州市南沙区望江二街4号601房之03室; 北京市海淀区清河小营东路12号北京信息科技大学光电学院 |
摘要文本
广州市南沙区北科光子感知技术研究院; 北京信息科技大学取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明提供了一种双色势垒型GaSb基InAs/InAsSb异质结光电晶体管，衬底，在衬底上外延生长缓冲层、第一接触层、第一异质结、第二异质结和第二接触层，以及沿第二接触层、第二异质结、第一异质结蚀刻至第一接触层的台阶；第一接触层上形成第一金属电极，第二接触层上形成第二金属电极，并且第二接触层、第二异质结、第一异质结和第一接触层的蚀刻表面沉积钝化层；第一异质结为中波异质结，第二异质结为长波异质结；第一接触层为中波N型接触层，第二接触层为长波N型接触层。本发明具有高响应度、高光电增益、高探测率、低暗电流、低串扰等优点，实现对多个波段的探测。
专利主权项内容
1.一种双色势垒型GaSb基InAs/InAsSb异质结光电晶体管，其特征在于，所述光电晶体管包括衬底，在所述衬底上外延生长缓冲层、第一接触层、第一异质结、第二异质结和第二接触层，以及沿所述第二接触层、第二异质结、第一异质结蚀刻至所述第一接触层的台阶；所述第一接触层上形成第一金属电极，所述第二接触层上形成第二金属电极，并且所述第二接触层、第二异质结、第一异质结和所述第一接触层的蚀刻表面沉积钝化层；其中，所述第一异质结为中波异质结，所述第二异质结为长波异质结；所述第一接触层为中波N型接触层，所述第二接触层为长波N型接触层。 百度搜索马 克 数 据 网