← 返回列表
一种复合阶梯阱和嵌套高势垒的量子级联激光器的有源层
申请人信息
- 申请人:广州市南沙区北科光子感知技术研究院; 北京信息科技大学
- 申请人地址:511400 广东省广州市南沙区望江二街4号601房之03室
- 发明人: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院; 北京信息科技大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种复合阶梯阱和嵌套高势垒的量子级联激光器的有源层 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311571423.4 |
| 申请日 | 2023/11/22 |
| 公告号 | CN117748299A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01S5/34 |
| 权利人 | 广州市南沙区北科光子感知技术研究院; 北京信息科技大学 |
| 发明人 | 张东亮; 崔锦涛; 祝连庆; 董明利; 鹿利单 |
| 地址 | 广东省广州市南沙区望江二街4号601房之03室; 北京市海淀区清河小营东路12号北京信息科技大学光电学院 |
摘要文本
广州市南沙区北科光子感知技术研究院; 北京信息科技大学取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明提供了一种复合阶梯阱和嵌套高势垒的量子级联激光器的有源层，量子级联激光器包括InP衬底，以及在InP衬底上制备的有源层，有源层的一个级联周期包括势垒层、第一GaInAs深势阱层、第二GaInAs深势阱层，以及制备在第一GaInAs深势阱层和第二GaInAs深势阱层之间的六个复合阶梯阱层；势垒层包括第一Al0.63In0.37As层和0.4nm厚的AlAs层；第一GaInAs深势阱层和第二GaInAs深势阱层为GaInAs深势阱层，六个复合阶梯阱层为复合阶梯阱层。本发明的能带结构具有宽而平坦且具有高增益的增益谱，可应用于制备宽波段可调谐量子级联激光器。。 （来自 专利查询网）
专利主权项内容
1.一种复合阶梯阱和嵌套高势垒的量子级联激光器的有源层，其特征在于，所述量子级联激光器包括InP衬底，以及在所述InP衬底上制备的所述有源层，其中，所述有源层的一个级联周期包括势垒层、第一GaInAs深势阱层、第二GaInAs深势阱层，以及制备在所述第一GaInAs深势阱层和所述第二GaInAs深势阱层之间的六个复合阶梯阱层；其中，所述势垒层包括第一AlInAs层和0.4nm厚的AlAs层；六个所述复合阶梯阱层具有两种不同复合比。0.630.37