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一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器
申请人信息
- 申请人:广州市南沙区北科光子感知技术研究院; 北京信息科技大学
- 申请人地址:511400 广东省广州市南沙区望江二街4号601房之03室
- 发明人: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院; 北京信息科技大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311563565.6 |
| 申请日 | 2023/11/22 |
| 公告号 | CN117747692A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L31/101 |
| 权利人 | 广州市南沙区北科光子感知技术研究院; 北京信息科技大学 |
| 发明人 | 鹿利单; 唐帆; 祝连庆; 董明利; 陈伟强; 何彦霖; 张旭 |
| 地址 | 广东省广州市南沙区望江二街4号601房之03室; 北京市海淀区清河小营东路12号北京信息科技大学光电学院 |
摘要文本
广州市南沙区北科光子感知技术研究院; 北京信息科技大学取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明提供了一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器，包括衬底，以及在衬底上外延生长的缓冲层；双色探测器还包括短波通道层和中波通道层，短波通道层和所述中波通道层之间外延生长中间势垒层；其中，短波通道层包括：在缓冲层上外延生长第一M型结构，以及在第一M型结构上外延生长第二M型结构，其中，第一M型结构和第二M型结构为InAs/GaSb/AlSb/GaSb结构。本发明结合了NBN型探测器与M结构探测器的优点，使得探测器具有良好的探测性能，降低器件的暗电流密度以及提高器件的量子效率。
专利主权项内容
1.一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器，其特征在于，所述双色探测器包括衬底，以及在所述衬底上外延生长的缓冲层；所述双色探测器还包括短波通道层和中波通道层，所述短波通道层和所述中波通道层之间外延生长中间势垒层；其中，所述短波通道层包括：在所述缓冲层上外延生长第一M型结构，以及在所述第一M型结构上外延生长第二M型结构，其中，所述第一M型结构和所述第二M型结构为InAs/GaSb/AlSb/GaSb结构。