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一种应变平衡的红外探测器吸收区及制备方法
申请人信息
- 申请人:广州市南沙区北科光子感知技术研究院; 北京信息科技大学
- 申请人地址:511400 广东省广州市南沙区望江二街4号601房之03室
- 发明人: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院; 北京信息科技大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种应变平衡的红外探测器吸收区及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311568685.5 |
| 申请日 | 2023/11/22 |
| 公告号 | CN117747687A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L31/0352 |
| 权利人 | 广州市南沙区北科光子感知技术研究院; 北京信息科技大学 |
| 发明人 | 张东亮; 罗明馨; 祝连庆; 董明利; 鹿利单 |
| 地址 | 广东省广州市南沙区望江二街4号601房之03室; 北京市海淀区清河小营东路12号北京信息科技大学光电学院 |
摘要文本
广州市南沙区北科光子感知技术研究院; 北京信息科技大学取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明提供了一种应变平衡的红外探测器吸收区及制备方法，红外探测器吸收区采用多量子阱或超晶格结构，每个周期至少包括第一Ge层，以及在第一Ge层外延生长的Ge1‑xSnx外延层，GeSn外延层上生长的第二Ge层，以及在第二Ge层外延生长的Si1‑yGey薄膜层。本发明在Ge1‑xSnx中插入Si1‑yGey薄膜层，采用周期交替生长外延方法，利用外延中断特点释放应力，形成Ge1‑xSnx/Si1‑yGey应变平衡多量子阱结构或超晶格，调控高锡组分锗锡材料中的应变，实现较厚高质量晶体材料和抑制锡分凝目的，并有效提升高锡组分材料的外延厚度，进而有助于提升器件量子效率，实现高锡组分的高性能、高量子效率和长探测截止波长的红外探测。 来源：专利查询网
专利主权项内容
1.一种应变平衡的红外探测器吸收区，其特征在于，所述红外探测器吸收区采用多量子阱或超晶格结构，每个周期至少包括第一Ge层，以及在所述第一Ge层外延生长的GeSn外延层，1-xx在所述GeSn外延层上生长的第二Ge层，以及在所述第二Ge层外延生长的SiGe薄膜层。1-xx1-yy