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一种半导体制程中的刻蚀方法
申请人信息
- 申请人:广州增芯科技有限公司
- 申请人地址:511338 广东省广州市增城区宁西街香山大道2号(增城经济技术开发区核心区内)
- 发明人: 广州增芯科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体制程中的刻蚀方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311267448.5 |
| 申请日 | 2023/9/28 |
| 公告号 | CN117423610A |
| 公开日 | 2024/1/19 |
| IPC主分类号 | H01L21/027 |
| 权利人 | 广州增芯科技有限公司 |
| 发明人 | 陈勇彬 |
| 地址 | 广东省广州市增城区宁西街香山大道2号(增城经济技术开发区核心区内) |
摘要文本
广州增芯科技有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明涉及半导体制造技术领域，为一种半导体制程中的刻蚀方法，所述刻蚀方法的刻蚀对象为晶圆，刻蚀图案包括第一区域和第二区域，所述刻蚀图案的第一区域具有第一图形密度值，所述刻蚀图案的第二区域具有第二图形密度值；所述第一图形密度值大于所述第二图形密度值；所述刻蚀方法包括：通过第一次光刻和刻蚀工艺在所述晶圆表面形成所述第一图形密度值的图案；在所述第一图形密度值的图案上，通过第二次光刻和刻蚀工艺在所述晶圆表面形成所述第二图形密度值的图案。本发明可以改善刻蚀后稀疏图形和密集图形负载效应，减少一次曝光/刻蚀后形成的不同图形密度的浅沟槽出现形貌角度和刻蚀深度等差异。
专利主权项内容
1.一种半导体制程中的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法的刻蚀对象为晶圆，刻蚀图案至少包括第一区域和第二区域，所述刻蚀图案的第一区域具有第一图形密度值，所述刻蚀图案的第二区域具有第二图形密度值；所述第一图形密度值大于所述第二图形密度值；所述刻蚀方法包括：步骤S1：通过第一次光刻和刻蚀工艺在所述晶圆表面形成所述第一图形密度值的图案；步骤S2：在所述第一图形密度值的图案上，通过第二次光刻和刻蚀工艺在所述晶圆表面形成所述第二图形密度值的图案。 关注公众号马克数据网