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一种自监督学习的DTCO工艺参数性能规格反馈方法

申请号: CN202311576073.0
申请人: 华南理工大学
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种自监督学习的DTCO工艺参数性能规格反馈方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311576073.0
申请日 2023/11/23
公告号 CN117574844A
公开日 2024/2/20
IPC主分类号 G06F30/398
权利人 华南理工大学
发明人 李斌; 黄奕铭; 吴朝晖
地址 广东省广州市天河区五山路381号

摘要文本

华南理工大学获取“一种透气窗帘布”专利技术,本发明公开了一种自监督学习的DTCO工艺参数性能规格反馈方法,用于优化芯片设计和制造工艺参数。收集半导体制造相关数据,包括芯片工艺参数和性能规格数据;清洗、归一化和特征化工程数据,为自监督学习模型训练做准备;建立自监督学习模型;使用自监督学习模型预测最佳工艺参数组合,以满足电路性能规格要求,双向地也可以基于电路性能规格需求预测工艺参数;定期验证自监督学习模型性能,基于泛化需求进行自监督学习模型微调,以确保不同材料、不同工艺节点下数据的准确性和稳定性。本发明可以实现DTCO工艺参数性能规格的自监督学习反馈,从而更好地满足半导体制造的性能和品质要求,提升DTCO流程效率。

专利主权项内容

1.一种自监督学习的DTCO工艺参数性能规格反馈方法,其特征在于,包括以下步骤:S1.收集半导体制造相关数据;S2.清洗、归一化和特征化工程数据,为自监督学习模型训练做准备;S3.建立自监督学习模型;S4.使用所述自监督学习模型预测最佳工艺参数组合,以满足电路性能规格要求,或基于电路性能规格需求预测工艺参数;S5.定期验证所述自监督学习模型性能,基于泛化需求对所述自监督学习模型微调,以确保不同工艺节点下数据的准确性和稳定性。