一种集成无源器件的体声波单片混合滤波器及其制备方法
申请人信息
- 申请人:华南理工大学
- 申请人地址:510000 广东省广州市天河区五山路
- 发明人: 华南理工大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种集成无源器件的体声波单片混合滤波器及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311544765.7 |
| 申请日 | 2023/11/17 |
| 公告号 | CN117459021A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | H03H9/54 |
| 权利人 | 华南理工大学 |
| 发明人 | 李国强; 许锴镔; 陈志鹏; 胡晗; 朱宇涵 |
| 地址 | 广东省广州市天河区五山路381号 |
摘要文本
华南理工大学获取“一种透气窗帘布”专利技术，本申请提出一种集成无源器件的体声波单片混合滤波器的制备方法，包括：(1)在支撑衬底上通过沉积制备泄露隔离层；(2)在(1)制备的泄露隔离层上通过物理气相沉积得到电感层，在掩模版上留出TGV电感堆截面环绕沟槽底部窗口，同时对电感金属进行图形化；(3)在(2)制备的电感金属上通过化学气相沉积得到绝缘层，通过光刻得到引线通孔；(4)交替重复步骤(2)和步骤(3)，得到三层堆叠的TGV电感；(5)在(4)制备的TGV电感上方通过化学气相沉积再沉积一层绝缘层；(6)在(5)沉积的绝缘层上通过物理气相沉积沉积两层电容层，在两层电容层之间沉积绝缘层，形成MIM电容；(7)在(6)制备的MIM电容上制备BAW谐振器，通过引线通孔将TGV电感、MIM电容和BAW谐振器连接。
专利主权项内容
1.一种集成无源器件的体声波单片混合滤波器的制备方法，其特征在于，包括：(1)在支撑衬底上通过沉积制备泄露隔离层；(2)在步骤(1)制备的泄露隔离层上通过物理气相沉积得到电感层，在掩模版上留出TGV电感堆截面环绕沟槽底部窗口，同时对电感金属进行图形化；(3)在步骤(2)制备的电感金属上通过化学气相沉积得到绝缘层，并通过光刻得到引线通孔；(4)交替重复步骤(2)和步骤(3)，得到三层堆叠的TGV电感；(5)在步骤(4)制备的TGV电感上方通过化学气相沉积再沉积一层绝缘层，作为电容层和TGV电感中间的隔断；(6)在步骤(5)沉积的绝缘层上通过物理气相沉积沉积两层电容层，并在两层电容层之间沉积一层绝缘层，形成MIM电容；(7)在步骤(6)制备的MIM电容上制备BAW谐振器，并通过引线通孔将TGV电感、MIM电容和BAW谐振器连接，获得集成无源器件的体声波单片混合滤波器。。关注微信公众号马克数据网