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一种N极性AlGaN-GaN异质结外延结构及其制备方法和应用
申请人信息
- 申请人:华南理工大学
- 申请人地址:510641 广东省广州市天河区五山路381号
- 发明人: 华南理工大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种N极性AlGaN-GaN异质结外延结构及其制备方法和应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311258622.X |
| 申请日 | 2023/9/26 |
| 公告号 | CN117410179A |
| 公开日 | 2024/1/16 |
| IPC主分类号 | H01L21/335 |
| 权利人 | 华南理工大学 |
| 发明人 | 王文樑; 林正梁; 李国强; 林廷钧 |
| 地址 | 广东省广州市天河区五山路381号 |
摘要文本
华南理工大学获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种N极性AlGaN‑GaN异质结外延结构及其制备方法和应用。本发明的N极性AlGaN‑GaN异质结外延结构的制备方法包括以下步骤：1)确定N极性转换层中的掺杂元素种类；2)确定N极性转换层中的掺杂元素浓度；3)采用退火炉对SiC衬底进行退火；4)采用金属有机化学气相沉积在SiC衬底上依次外延生长N极性转换层、GaN功能层和AlGaN功能层。本发明引入了第一性原理的计算方法，通过在SiC衬底和功能层之间引入极性转换层来实现N极性AlGaN‑GaN异质结的可控生长，最终通过简单、高效的方法便可以制备出高质量的N极性AlGaN‑GaN异质结外延结构。。来自马-克-数-据-官网
专利主权项内容
1.一种N极性AlGaN-GaN异质结外延结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)采用Materials Studio程序构建N极性转换层掺杂元素模型，再采用MaterialsStudio程序包中的CASTEP模块进行模型的结构优化和热力学稳定性计算确定热力学最稳定的掺杂元素；2)采用Materials Studio程序构建N极性转换层原子吸附模型，再采用MaterialsStudio程序包中的CASTEP模块进行模型的结构优化和热力学稳定性计算确定适合N极性面生长的掺杂浓度；3)采用退火炉对SiC衬底进行退火；4)根据步骤1)和步骤2)的计算结果采用金属有机化学气相沉积在SiC衬底上依次外延生长N极性转换层、GaN功能层和AlGaN功能层，即得N极性AlGaN-GaN异质结外延结构。 关注微信公众号马克数据网