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一种多结太阳电池及其制备方法和应用
申请人信息
- 申请人:中山大学
- 申请人地址:510275 广东省广州市海珠区新港西路135号
- 发明人: 中山大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种多结太阳电池及其制备方法和应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311816893.2 |
| 申请日 | 2023/12/27 |
| 公告号 | CN117476797A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | H01L31/0687 |
| 权利人 | 中山大学 |
| 发明人 | 王钢; 杨文奕 |
| 地址 | 广东省广州市海珠区新港西路135号 |
摘要文本
中山大学获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种多结太阳电池及其制备方法和应用，属于太阳电池技术领域。本发明提供的多结太阳电池包括叠加设置的Ge衬底、GaAs缓冲层、复合缓冲层、GaInAs子电池、AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池；复合缓冲层包括自所述GaAs缓冲层而始循环设置的二维导电材料层、III‑V化合物层和超晶格材料层；超晶格材料层包括以下两种组合对中的至少一种：AlInAs/GaInAs或AlInP/GaInP。本发明提供的多结太阳电池，能够有效提高降低高In子电池组等结构的穿透型缺陷密度，进而提升所得多结太阳电池的电压和FF。本发明还提供了上述多结太阳电池的制备方法和应用。
专利主权项内容
1.一种多结太阳电池，其特征在于，所述多结太阳电池包括叠加设置的：Ge衬底、GaAs缓冲层、复合缓冲层、高In子电池组；所述复合缓冲层包括自所述GaAs缓冲层而始循环设置的二维导电材料层、III-V化合物层和超晶格材料层；所述超晶格材料层包括以下两种组合对中的至少一种：AlInAs/GaInAs或AlInP/GaInP；所述高In子电池组包括自所述复合缓冲层而始叠加设置的GaInAs子电池、AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池。