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用于生长单晶金刚石材料的MPCVD沉积腔体及其方法
申请人信息
- 申请人:广东省新兴激光等离子体技术研究院
- 申请人地址:510000 广东省广州市白云区龙归街科泰二路13-19号白云高新区·产业创新园17号第5栋整栋
- 发明人: 广东省新兴激光等离子体技术研究院
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 用于生长单晶金刚石材料的MPCVD沉积腔体及其方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311665041.8 |
| 申请日 | 2023/12/6 |
| 公告号 | CN117535789A |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | C30B25/08 |
| 权利人 | 广东省新兴激光等离子体技术研究院 |
| 发明人 | 朱昆; 颜学庆; 张蔡婕 |
| 地址 | 广东省广州市白云区龙归街科泰二路13-19号白云高新区·产业创新园17号第5栋整栋 |
摘要文本
广东省新兴激光等离子体技术研究院获取“一种透气窗帘布”专利技术，本申请提供一种用于生长单晶金刚石材料的MPCVD沉积腔体及用于生长单晶金刚石材料的方法；所述MPCVD沉积腔体包括：其包括一腔体本体；在腔体本体底部中心开设有微波馈入口，在腔体本体上部设有气体注入口；在微波馈入口上方设有与其密封连接的基台；在腔体本体底部沿基台的边缘位置处设有气体排出口；基台上部设有存放单晶金刚石的凹陷部位，单晶金刚石的侧面与基台凹陷内壁贴近且其上表面与基台上部保持平齐；在工作中，向腔体本体的内部馈入微波产生氢等离子体球，在单晶金刚石表面生长金刚石膜，以及在单晶金刚石的上表面长高后调整其与基台上部保持平齐。该技术方案，实现了MPCVD沉积腔体的小型化，提升单晶金刚石生长质量和制备效率。
专利主权项内容
1.一种用于生长单晶金刚石材料的MPCVD沉积腔体，其特征在于，其包括一腔体本体；在所述腔体本体底部中心开设有微波馈入口，在所述腔体本体上部设有气体注入口；在微波馈入口上方设有与其密封连接的基台；在所述腔体本体底部沿基台的边缘位置处设有气体排出口；所述基台上部设有存放单晶金刚石的凹陷部位，所述单晶金刚石的侧面与基台凹陷内壁贴近且其上表面与基台上部保持平齐；在工作中，通过所述微波馈入口向腔体本体的内部馈入微波，作用于基台上方注入的反应气体，并在设定条件下激发产生氢等离子体球，在单晶金刚石表面生长金刚石膜，以及在单晶金刚石的上表面长高后调整其与基台上部保持平齐。