← 返回列表
基于MPCVD的生长单晶金刚石材料的基台及其方法
申请人信息
- 申请人:广东省新兴激光等离子体技术研究院
- 申请人地址:510000 广东省广州市白云区龙归街科泰二路13-19号白云高新区·产业创新园17号第5栋整栋
- 发明人: 广东省新兴激光等离子体技术研究院
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 基于MPCVD的生长单晶金刚石材料的基台及其方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311670318.6 |
| 申请日 | 2023/12/6 |
| 公告号 | CN117535791A |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | C30B25/12 |
| 权利人 | 广东省新兴激光等离子体技术研究院 |
| 发明人 | 朱昆; 颜学庆; 张蔡婕 |
| 地址 | 广东省广州市白云区龙归街科泰二路13-19号白云高新区·产业创新园17号第5栋整栋 |
摘要文本
广东省新兴激光等离子体技术研究院获取“一种透气窗帘布”专利技术，本申请提供一种基于MPCVD的生长单晶金刚石材料的基台及基于MPCVD的生长单晶金刚石材料的方法；包括基台底座，用于支撑基台；屏蔽基台，用于包裹单晶金刚石基片侧面；可移动基台，内嵌在屏蔽基台的中部，用于承载单晶金刚石基片并相对于屏蔽基台进行上下移动；在生长单晶金刚石时，从基台底座的下方馈入微波激发出氢等离子体生长单晶金刚石材料；控制系统根据单晶金刚石基片的表面厚度变化实时移动可移动基台，单晶金刚石基片的表面与屏蔽基台的上表面实时保持平齐，使得屏蔽基台凹陷处侧壁贴近单晶金刚石基片侧面，屏蔽四周电场分布而抑制多晶金刚石的生长；该技术方案，可以使得生长条件始终维持稳定，实现高质量、大尺寸的单晶金刚石的制备。 专利查询网
专利主权项内容
1.一种基于MPCVD的生长单晶金刚石材料的基台，用于MPCVD沉积腔体内，其特征在于，包括：基台底座，用于支撑基台以及作为耦合天线，维持电场强度在基台底座上方的聚焦分布；屏蔽基台，设于基台底座的中部，用于包裹单晶金刚石基片侧面，屏蔽单晶金刚石基片侧面四周电场分布；可移动基台，内嵌在屏蔽基台的中部，用于承载单晶金刚石基片并相对于屏蔽基台进行上下移动；在生长单晶金刚石时，从基台底座的下方馈入微波使得基台上方形成强电场区域，激发出氢等离子体在单晶金刚石基片表面上生长单晶金刚石材料；控制系统根据单晶金刚石基片的表面厚度变化实时移动可移动基台，单晶金刚石基片的表面与所述屏蔽基台的上表面实时保持平齐，使得屏蔽基台凹陷处侧壁贴近并包裹住单晶金刚石基片侧面，以屏蔽四周电场分布而抑制多晶金刚石的生长。