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改善离子注入监控稳定性的方法
申请人信息
- 申请人:粤芯半导体技术股份有限公司
- 申请人地址:510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
- 发明人: 粤芯半导体技术股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 改善离子注入监控稳定性的方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311309274.4 |
| 申请日 | 2023/10/11 |
| 公告号 | CN117059509B |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H01L21/66 |
| 权利人 | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 发明人 | 林晓森; 苏小鹏 |
| 地址 | 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号 |
摘要文本
粤芯半导体技术股份有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明提供一种改善离子注入监控稳定性的方法，通过对控片晶圆进行第一次离子注入，且使该第一次离子注入的掺杂浓度波动在±2%的预设范围内，从而使其形成的预掺杂层的浓度相对稳定，以保证与后续形成的监控掺杂层之间形成浓度稳定的PN结，该稳定的PN结在对控片晶圆的方块电阻进行测量时可以形成稳定的耗尽层，该稳定的耗尽层可有效隔绝控片晶圆不稳定的电阻率对其表层监控掺杂层电阻率测量的影响，达到提高日常监控离子注入机稳定性和均匀性的精确性。
专利主权项内容
1.一种改善离子注入监控稳定性的方法，其特征在于，所述改善离子注入监控稳定性的方法包括以下步骤：提供控片晶圆，所述控片晶圆的电阻率不稳定；对所述控片晶圆进行第一次离子注入，注入预设深度，且所述第一次离子注入的掺杂浓度波动在±2%的预设范围内，以在所述控片晶圆中形成掺杂浓度稳定的预掺杂层；对所述控片晶圆进行与所述第一次离子注入的离子掺杂类型相反的第二次离子注入，以于所述控片晶圆表面形成预设厚度的监控掺杂层；其中，所述第一次离子注入的注入浓度小于所述第二次离子注入的注入浓度，且所述预掺杂层与所述监控掺杂层之间接触形成PN结；对所述控片晶圆进行快速热退火，以在所述PN结的界面处形成稳定的耗尽层；测量所述控片晶圆的方块电阻。