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耗尽型晶体管的驱动电路
申请人信息
- 申请人:广东致能科技有限公司
- 申请人地址:510700 广东省广州市黄埔区开源大道136号A栋301、302室
- 发明人: 广东致能科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 耗尽型晶体管的驱动电路 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311302481.7 |
| 申请日 | 2023/10/10 |
| 公告号 | CN117040512B |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H03K17/567 |
| 权利人 | 广东致能科技有限公司 |
| 发明人 | 钟海峰; 刘志宏; 黎子兰 |
| 地址 | 广东省广州市黄埔区开源大道136号A栋301、302室 |
摘要文本
广东致能科技有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本申请提供一种耗尽型晶体管的驱动电路，包括：MOSFET，与耗尽型晶体管进行级联；开关控制模块，分别连接第一节点、第二节点和MOSFET的栅极，第一节点在MOSFET与耗尽型晶体管之间，第二节点为驱动电路的输出端；其中，耗尽型晶体管的栅极连接到第二节点，被构造为在驱动电路输出的控制信号的作用下导通或者关断，开关控制模块被构造为在耗尽型晶体管的工作期间控制MOSFET持续导通。通过本申请，能够实现对耗尽型晶体管的直接驱动，以及有效降低开关损耗，还能够避免发生因MOS雪崩击穿引入额外损耗，或者电容失配导致的震荡失效问题。
专利主权项内容
1.一种耗尽型晶体管的驱动电路，其特征在于，包括：MOSFET，与耗尽型晶体管进行级联；开关控制模块，分别连接第一节点、第二节点和MOSFET的栅极，第一节点在MOSFET与耗尽型晶体管之间，第二节点为驱动电路的输出端；第一二极管，第一二极管的阳极连接到耗尽型晶体管的栅极，第一二极管的阴极连接到MOSFET的漏极；其中，耗尽型晶体管的栅极连接到第二节点，被构造为在驱动电路输出的控制信号的作用下导通或者关断，开关控制模块被构造为在耗尽型晶体管的工作期间控制MOSFET持续导通，其中，所述开关控制模块包括：储能子电路，分别连接第三节点和第四节点，第三节点在供电电源与第一节点之间，第四节点在驱动电路的输出端与MOSFET的栅极之间，被构造为在第二节点处为高电平时，储存能量并向第四节点提供高电平以控制MOSFET导通，在第二节点处为低电平时，通过释放储能子电路所储存的能量，向第四节点提供高电平以维持MOSFET导通。