一种AlN薄膜及其制备方法和应用
申请人信息
- 申请人:广州市艾佛光通科技有限公司
- 申请人地址:510700 广东省广州市黄埔区瑞吉二街49号201房
- 发明人: 广州市艾佛光通科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种AlN薄膜及其制备方法和应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311679219.4 |
| 申请日 | 2023/12/8 |
| 公告号 | CN117660879A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | C23C14/06 |
| 权利人 | 广州市艾佛光通科技有限公司 |
| 发明人 | 李国强 |
| 地址 | 广东省广州市黄埔区瑞吉二街49号201房 |
摘要文本
广州市艾佛光通科技有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本申请属于半导体材料制备技术领域，公开了一种AlN薄膜及其制备方法和应用，所述方法包括步骤：制备包括依次叠合的硅衬底、图形化AlN层、第一AlN层和第一SiO2层的第一外延片；制备包括依次叠合的蓝宝石衬底、GaN层、第二SiO2层的第二外延片；把第一SiO2层和第二SiO2层键合形成键合SiO2层，从而得到键合外延片；去除键合外延片的硅衬底；把键合外延片中的图形化AlN层去除；在第一AlN层远离键合SiO2层的一面生长第二AlN层；对键合外延片中的键合SiO2层进行剥离处理，以剥离出由第一AlN层和第二AlN层组成的AlN薄膜；从而能够得到大厚度高质量的AlN薄膜。
专利主权项内容
1.一种AlN薄膜制备方法，其特征在于，包括步骤：A1.制备包括依次叠合的硅衬底(10)、图形化AlN层(20)、第一AlN层(30)和第一SiO层(40)的第一外延片(1)；2A2.制备包括依次叠合的蓝宝石衬底(50)、GaN层(60)、第二SiO层(70)的第二外延片(2)；2A3.把所述第一SiO层(40)和所述第二SiO层(70)键合形成键合SiO层(80)，从而使所述第一外延片(1)和所述第二外延片(2)结合为键合外延片(3)；222A4.通过湿法腐蚀去除所述键合外延片(3)的所述硅衬底(10)；A5.通过ICP刻蚀方法，把去除所述硅衬底(10)后的所述键合外延片(3)中的所述图形化AlN层(20)去除；A6.在第三温度和第三压力下，在所述第一AlN层(30)远离所述键合SiO层(80)的一面生长第二AlN层(90)；2A7.对生长所述第二AlN层(90)后的所述键合外延片(3)中的所述键合SiO层(80)进行剥离处理，以剥离出由所述第一AlN层(30)和所述第二AlN层(90)组成的AlN薄膜。2