← 返回列表
一种嵌入式闪存工艺的DEMOS结构及其制备方法
申请人信息
- 申请人:粤芯半导体技术股份有限公司
- 申请人地址:510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
- 发明人: 粤芯半导体技术股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种嵌入式闪存工艺的DEMOS结构及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311775120.4 |
| 申请日 | 2023/12/22 |
| 公告号 | CN117457747A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 发明人 | 沈安星; 朱海斌 |
| 地址 | 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号 |
摘要文本
粤芯半导体技术股份有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种嵌入式闪存工艺的DEMOS结构及其制备方法，包结构括：介质隔离层；设置于介质隔离层上方的逻辑栅；设置于介质隔离层下方的浮栅；将介质隔离层、逻辑栅和浮栅的一侧进行包裹并延伸的硅化物；设置于延伸部分硅化物上方的接触孔；其中，嵌入式闪存工艺的DEMOS结构有P型DEMOS结构和N型DEMOS结构。本发明的技术方案通过介质隔离层、设置于介质隔离层上方的逻辑栅以及设置于介质隔离层下方的浮栅，能够有效且可靠地使DEMOS在嵌入式闪存工艺的实现，无需额外通过制备闪存的工艺流程，即可直接在DEMOS结构生成过程中直接实现闪存的嵌入，提高了DEMOS结构的整合性，同时也简化了制备工艺。
专利主权项内容
1.一种嵌入式闪存工艺的DEMOS结构，其特征在于，包括：介质隔离层；设置于所述介质隔离层上方的逻辑栅；设置于所述介质隔离层下方的浮栅。