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相移光掩模版的制备方法、装置及光刻方法
申请人信息
- 申请人:广州新锐光掩模科技有限公司
- 申请人地址:510555 广东省广州市(中新广州知识城)亿创街1号406房之518
- 发明人: 广州新锐光掩模科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 相移光掩模版的制备方法、装置及光刻方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311800619.6 |
| 申请日 | 2023/12/25 |
| 公告号 | CN117742067A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | G03F1/26 |
| 权利人 | 广州新锐光掩模科技有限公司 |
| 发明人 | 周家华; 郑怀志; 施维; 甘裕明 |
| 地址 | 广东省广州市(中新广州知识城)亿创街1号406房之518 |
摘要文本
广州新锐光掩模科技有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本申请提供一种相移光掩模版的制备方法、装置及光刻方法，其中相移光掩模版的制备方法包括：对第一刻蚀层刻蚀后的结构进行关键尺寸量测；根据所述关键尺寸量测分析，获得量测结果；根据所述量测结果，调整工艺参数，对第二刻蚀层进行刻蚀及进行关键尺寸量测，并获得目标相移光掩模版。通过优化工艺，在第一刻蚀层刻蚀后增加CD量测，不仅可以及时发现CD error，还通过动态调整刻蚀配方来适配调整相移光掩模版图形关键尺寸，这样有效防止前段制程CD error向后传递，最终来提升相移光掩模版尺寸精度。无需如现有技术若相移光掩模版图形关键尺寸的VTT表现差时，重新更新所有制作工艺条件来不断重复尝试进行制备及应用等。
专利主权项内容
1.一种相移光掩模版的制备方法，其特征在于，所述相移光掩模版的制备方法包括：对第一刻蚀层刻蚀后的结构进行关键尺寸量测；根据所述关键尺寸量测分析，获得量测结果；根据所述量测结果，调整工艺参数，对第二刻蚀层进行刻蚀及进行关键尺寸量测，并获得目标相移光掩模版。