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声表面波谐振器横向模式仿真方法及相关设备

申请号: CN202311314267.3
申请人: 广州市艾佛光通科技有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 声表面波谐振器横向模式仿真方法及相关设备
专利类型 发明授权
申请号 CN202311314267.3
申请日 2023/10/11
公告号 CN117057168B
公开日 2024/2/13
IPC主分类号 G06F30/20
权利人 广州市艾佛光通科技有限公司
发明人 李国强; 衣新燕; 李建敏
地址 广东省广州市黄埔区瑞吉二街49号201房

摘要文本

广州市艾佛光通科技有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术,本发明提供了一种声表面波谐振器横向模式仿真方法及相关设备,涉及声表面波谐振器横向模式仿真技术领域。该声表面波谐振器横向模式仿真方法包括步骤:获取各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向的传播声速;根据传播声速,获取各阶横向模式的谐振频率;根据谐振频率,获取各阶横向模式的第一导纳;根据第一导纳,获取各阶横向模式的第二导纳;将第二导纳输入到声表面波谐振器横向模式仿真模型中后利用声表面波谐振器横向模式仿真模型进行仿真。本发明的声表面波谐振器横向模式仿真方法及相关设备能够准确仿真出声表面波谐振器中的各阶横向模式的谐振频率及强度,以此提高设计声表面波滤波器时的仿真精度。

专利主权项内容

1.一种声表面波谐振器横向模式仿真方法,其特征在于,包括以下步骤:S1.获取各阶横向模式在声表面波谐振器的孔径方向的传播声速;S2.根据所述传播声速,获取各阶横向模式的谐振频率;S3.根据所述谐振频率,获取各阶横向模式的第一导纳;S4.根据所述第一导纳,获取各阶横向模式的第二导纳;S5.将所述第二导纳输入到声表面波谐振器横向模式仿真模型中后利用所述声表面波谐振器横向模式仿真模型进行仿真;步骤S3中的具体步骤包括:S31.根据以下公式计算所述第一导纳:



;其中,为第n阶横向模式的第一导纳,/>为第n阶横向模式的第一导纳的实部,为第n阶横向模式的第一导纳的虚部,/>为第三拟合参数,/>为中间变量,/>为第四拟合参数,/>为预设的频率区间中的频率值, />为第n阶横向模式的谐振频率;步骤S4中的具体步骤包括:S41.根据以下公式计算所述第二导纳:
;其中,为第n阶横向模式的第二导纳,/>为在不考虑横向模式下仿真得到的所述声表面波谐振器的第三导纳。 来自: