基于薄膜铌酸锂波导的垂直光学耦合器件及其制备方法

专利主权项内容

1.一种基于薄膜铌酸锂波导的垂直光学耦合器件，其特征在于，所述器件包括衬底、铌酸锂波导结构、包层、金属反射镜结构、键合层和光电监控探测器；其中，所述铌酸锂波导结构设置于所述衬底上，所述铌酸锂波导结构包括铌酸锂波导和埋氧层，所述铌酸锂波导设置于所述埋氧层上；所述包层设置于所述铌酸锂波导结构上；所述铌酸锂波导结构和所述包层中设置有开口朝向所述光电监控探测器的斜面开口结构，所述斜面开口结构贯穿所述包层且嵌入预设深度的所述埋氧层，所述斜面开口结构的侧面与所述光电监控探测器的收光面成预设角度的夹角；所述金属反射镜结构设置于相对于所述铌酸锂波导入射光方向的斜面开口结构的侧面上；所述键合层填充于所述斜面开口结构中，并覆盖所述包层；所述光电监控探测器设置于所述包层上；其中，所述衬底，用于为所述器件提供支撑；所述铌酸锂波导，用于传输入射光；所述包层，用于作为过渡层，使所述铌酸锂波导可与所述键合层兼容；所述金属反射镜结构，用于反射入射光并吸收所述埋氧层中的杂散光；所述键合层，用于连接并固定所述光电监控探测器与所述包层、所述包层以下的部分和所述斜面开口结构；所述光电监控探测器，用于接收并传递光信号。