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半导体器件的制造方法及半导体器件
申请人信息
- 申请人:粤芯半导体技术股份有限公司
- 申请人地址:510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
- 发明人: 粤芯半导体技术股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体器件的制造方法及半导体器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311720707.5 |
| 申请日 | 2023/12/14 |
| 公告号 | CN117612944A |
| 公开日 | 2024/2/27 |
| IPC主分类号 | H01L21/336 |
| 权利人 | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 发明人 | 陈峰; 陈勇树; 李晓怡 |
| 地址 | 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号 |
摘要文本
粤芯半导体技术股份有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本申请公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，该半导体器件的制造方法包括提供一待蚀刻半导体结构，待蚀刻半导体结构包括由下至上依次层叠设置的半导体衬底、氧化层和抗反射层；在抗反射层上形成具有预设图案的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，在蚀刻设备的反应腔内通过调整蚀刻设备的工艺参数对抗反射层和氧化层进行一步蚀刻工艺，形成第一氧化层沟槽和第二氧化层沟槽，第一氧化层沟槽和第二氧化层沟槽的宽度不同，第一氧化层沟槽和第二氧化层沟槽底部的氧化层厚度相同，以达到通过一步蚀刻工艺控制刻蚀余量均匀性的目的；去除光刻胶层和抗反射层。本方案可以使具有不同宽度的氧化层沟槽底部的氧化层厚度相同。
专利主权项内容
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一待蚀刻半导体结构，所述待蚀刻半导体结构包括由下至上依次层叠设置的半导体衬底、氧化层和抗反射层；在所述抗反射层上形成具有预设图案的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，在蚀刻设备的反应腔内通过调整所述蚀刻设备的工艺参数对所述抗反射层和所述氧化层进行一步蚀刻工艺，形成第一氧化层沟槽和第二氧化层沟槽，所述第一氧化层沟槽和所述第二氧化层沟槽的宽度不同，所述第一氧化层沟槽和所述第二氧化层沟槽底部的氧化层厚度相同，以达到通过一步蚀刻工艺控制刻蚀余量均匀性的目的；去除所述光刻胶层和所述抗反射层。