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一种耐压深沟槽隔离方法、装置、电子设备及存储介质
申请人信息
- 申请人:粤芯半导体技术股份有限公司
- 申请人地址:510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
- 发明人: 粤芯半导体技术股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种耐压深沟槽隔离方法、装置、电子设备及存储介质 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311764299.3 |
| 申请日 | 2023/12/21 |
| 公告号 | CN117438372A |
| 公开日 | 2024/1/23 |
| IPC主分类号 | H01L21/762 |
| 权利人 | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 发明人 | 杜宁乐 |
| 地址 | 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号 |
摘要文本
粤芯半导体技术股份有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本公开提供了一种耐压深沟槽隔离方法、装置、电子设备及存储介质，通过针对待隔离芯片进行深沟槽蚀刻、衬氧化层生成以及深沟槽填充处理，在所述待隔离芯片的半导体衬底中生成隔离沟槽；在所述隔离沟槽对应的槽口位置处进行浅沟槽隔离结构蚀刻，生成有源区并在所述有源区中填充衬氧化层；在所述待隔离芯片表面沉积硬掩膜层，并在所述隔离沟槽对应的槽口边缘位置处蚀刻所述硬掩膜层，生成局部氧化隔离窗口；根据所述局部氧化隔离窗口进行硅局部氧化隔离处理，在所述半导体衬底表面生长隔离氧化层。可以提升深沟槽隔离结构的耐压性能。
专利主权项内容
1.一种耐压深沟槽隔离方法，其特征在于，包括：针对待隔离芯片进行深沟槽蚀刻、衬氧化层生成以及深沟槽填充处理，在所述待隔离芯片的半导体衬底中生成隔离沟槽；在所述隔离沟槽对应的槽口位置处进行浅沟槽隔离结构蚀刻，生成有源区并在所述有源区中填充衬氧化层；在所述待隔离芯片表面沉积硬掩膜层，并在所述隔离沟槽对应的槽口边缘位置处蚀刻所述硬掩膜层，生成局部氧化隔离窗口；根据所述局部氧化隔离窗口进行硅局部氧化隔离处理，在所述半导体衬底表面生长隔离氧化层。