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离子注入机台的温控能力检测方法及装置
申请人信息
- 申请人:粤芯半导体技术股份有限公司
- 申请人地址:510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
- 发明人: 粤芯半导体技术股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 离子注入机台的温控能力检测方法及装置 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311352021.5 |
| 申请日 | 2023/10/19 |
| 公告号 | CN117116813B |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | H01L21/67 |
| 权利人 | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 发明人 | 杨洪军; 苏小鹏 |
| 地址 | 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号 |
摘要文本
粤芯半导体技术股份有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本申请实施例公开了一种离子注入机台的温控能力检测方法及装置。该方案可以将第一预设数量的测试晶圆进行热氧化处理并涂抹光刻胶，在包含第二预设数量的裸晶圆的传送盒当中，将所述第一预设数量的测试晶圆传送至末尾，获取晶圆产品在离子注入过程中总热量最大的配方参数，并基于所述配方参数对所述传送盒中的所有晶圆进行离子注入处理，对处理后的测试晶圆进行缺陷扫描，以根据扫描结果确定当前离子注入机台的温控能力是否合格。本申请通过将测试晶圆插入裸晶圆末尾，并对整个晶圆传送盒进行离子注入，最终通过测试晶圆的缺陷扫描得到离子注入机台温控能力，极大提升了机台的温控能力检测效率以及准确性。
专利主权项内容
1.一种离子注入机台的温控能力检测方法，其特征在于，包括：将第一预设数量的测试晶圆进行热氧化处理并涂抹光刻胶；在包含第二预设数量的裸晶圆的传送盒当中，将所述第一预设数量的测试晶圆传送至末尾；获取晶圆产品在预设时间段内进行离子注入过程中温度变化量最大的波束功率和处理时长参数，将所述波束功率和处理时长参数作为配方参数，并基于所述配方参数对所述传送盒中的所有晶圆进行离子注入处理；对处理后的测试晶圆的光阻鼓包状态进行扫描，以根据扫描结果确定当前离子注入机台的温控能力是否合格。