半导体器件的斜沟槽的制备方法
申请人信息
- 申请人:粤芯半导体技术股份有限公司
- 申请人地址:510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
- 发明人: 粤芯半导体技术股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体器件的斜沟槽的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311790586.1 |
| 申请日 | 2023/12/25 |
| 公告号 | CN117457489A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | H01L21/308 |
| 权利人 | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 发明人 | 王秀金; 王宇; 陈勇树 |
| 地址 | 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号 |
摘要文本
粤芯半导体技术股份有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本申请提供一种半导体器件的斜沟槽的制备方法，包括：S11提供半导体工件；S12在半导体工件上形成光阻层；S13对S12的产品进行第一次蚀刻处理形成延伸入硅衬底的凹槽；S14通入第一六氟化硫和第一八氟环丁烷，第一八氟环丁烷发生反应，在凹槽内形成聚合物层；S15通入第二六氟化硫与位于凹槽的底部的聚合物层反应，以暴露硅衬底；S16通入第三六氟化硫并与裸露的硅衬底反应；S17重复S14‑S16直至形成具有扩宽部及设置于扩宽部两侧的收窄部和底槽部的沟槽，收窄部位于沟槽靠近绝缘层的一侧，扩宽部的直径大于收窄部以及底槽部的直径；S18采用等离子体方法进行蚀刻修复处理，以形成内壁具有氟化物层的斜沟槽，斜沟槽的直径从开口往底部递减，以提高半导体器件的性能。 更多数据：搜索专利查询网来源：
专利主权项内容
1.一种半导体器件的斜沟槽的制备方法，其特征在于，包括：S11：提供至少一半导体工件，所述半导体工件包括硅衬底以及设置于所述硅衬底上的绝缘层；S12：在所述半导体工件上形成光阻层；S13：对所述半导体工件以及所述光阻层进行第一次蚀刻处理，以形成贯穿所述光阻层以及所述绝缘层并延伸入所述硅衬底的凹槽；S14：向具有所述凹槽的所述半导体工件以及所述光阻层中通入第一六氟化硫以及第一八氟环丁烷，所述第一八氟环丁烷发生聚合反应，在所述凹槽内形成聚合物层；S15：向具有所述聚合物层的所述半导体工件通入第二六氟化硫，所述第二六氟化硫与位于所述凹槽的底部的所述聚合物层进行反应，去除位于所述凹槽的底部的所述聚合物层以暴露所述硅衬底；S16：向经过所述S15处理的所述半导体工件中通入第三六氟化硫，所述第三六氟化硫与裸露的所述硅衬底进行反应，去除裸露部分的所述硅衬底，所述第二六氟化硫以及所述第三六氟化硫的体积流量均大于所述第一六氟化硫的体积流量，所述第二六氟化硫与位于所述凹槽的底部的所述聚合物层进行反应的压力以及所述第三六氟化硫与裸露的所述硅衬底进行反应的压力均大于所述第一八氟环丁烷发生聚合反应的压力，所述第二六氟化硫与位于所述凹槽的底部的所述聚合物层进行反应的时间以及所述第一八氟环丁烷发生聚合反应的时间均小于或等于0.6s，所述第三六氟化硫与裸露的所述硅衬底进行反应的时间至少大于或等于0.6s；S17：重复所述S14-所述S16，直至形成沟槽，其中，所述沟槽具有扩宽部以及设置于所述扩宽部两侧的收窄部和底槽部，所述收窄部位于所述沟槽靠近所述绝缘层的一侧，所述扩宽部的直径大于所述收窄部以及所述底槽部的直径；S18：采用等离子体方法对形成所述沟槽的所述半导体工件进行蚀刻修复处理，以形成斜沟槽，所述斜沟槽的内壁具有氟化物层，自所述绝缘层朝向所述硅衬底的方向上，所述斜沟槽的直径递减。