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一种薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法和装置

申请号: CN202311296644.5
申请人: 广州铌奥光电子有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法和装置
专利类型 发明申请
申请号 CN202311296644.5
申请日 2023/10/8
公告号 CN117348149A
公开日 2024/1/5
IPC主分类号 G02B6/12
权利人 广州铌奥光电子有限公司
发明人 李昊
地址 广东省广州市黄埔区姬火路6号102房

摘要文本

广州铌奥光电子有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术,本发明公开了一种薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法和装置,包括衬底、埋氧层、条形波导、周期性光栅结构、包层和遮光结构;埋氧层设置于衬底上,条形波导和周期性光栅结构设置于埋氧层上,周期性光栅结构设置于沿光路方向的条形波导的前方且与条形波导对齐,包层设置于条形波导和周期性光栅结构上,遮光结构设置于包层上,遮光结构包括透光孔,透光孔设置于周期性光栅结构的传播方向上,透光孔的尺寸大于周期性光栅结构的尺寸。本发明实施例有效减少了杂散光对光探测器的信噪比的不良影响,提高了光探测器的信噪比,可广泛应用于集成光学领域。

专利主权项内容

1.一种薄膜铌酸锂光栅耦合器,其特征在于,包括衬底、埋氧层、条形波导、周期性光栅结构、包层和遮光结构;所述埋氧层设置于所述衬底上,所述条形波导和所述周期性光栅结构设置于所述埋氧层上,所述周期性光栅结构设置于沿光路方向的所述条形波导的前方且与所述条形波导对齐,所述包层设置于所述条形波导和所述周期性光栅结构上,所述遮光结构设置于所述包层上,所述遮光结构包括透光孔,所述透光孔设置于所述周期性光栅结构的传播方向上,所述透光孔的尺寸大于所述周期性光栅结构的尺寸。