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一种多电压区域衬底偏置结构
申请人信息
- 申请人:广芯微电子(广州)股份有限公司
- 申请人地址:510555 广东省广州市黄埔区(中新广州知识城)亿创街1号406房之227
- 发明人: 广芯微电子(广州)股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种多电压区域衬底偏置结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311457121.4 |
| 申请日 | 2023/11/3 |
| 公告号 | CN117352509A |
| 公开日 | 2024/1/5 |
| IPC主分类号 | H01L27/02 |
| 权利人 | 广芯微电子(广州)股份有限公司 |
| 发明人 | 王锐; 姚家宁; 李建军 |
| 地址 | 广东省广州市黄埔区(中新广州知识城)亿创街1号406房之227 |
摘要文本
本申请属于芯片设计技术领域，公开了一种多电压区域衬底偏置结构，包括衬底零偏区域和衬底偏置区域；衬底零偏区域和衬底偏置区域均包括多条接触单元阵列；衬底零偏区域的各接触单元阵列中的衬底接触单元均连接到地网络；衬底偏置区域的各接触单元阵列上均设有同相电源线和反相电源线，衬底偏置区域的各衬底接触单元根据自身属性与同相电源线或反相电源线连接；电压产生模块通过同相电源线、反相电源线与多个传感器连接，并根据各传感器获取的环境参数调节同相电源线和反相电源线的电压。本申请能够满足不同电压区域特殊的衬底偏置需求。 专利查询网
专利主权项内容
1.一种多电压区域衬底偏置结构，其特征在于，包括衬底零偏区域和衬底偏置区域；所述衬底零偏区域和所述衬底偏置区域均包括多条接触单元阵列；所述衬底零偏区域的各所述接触单元阵列中的衬底接触单元均连接到地网络；所述衬底偏置区域的各所述接触单元阵列上均设有同相电源线和反相电源线，所述衬底偏置区域的各所述衬底接触单元根据自身属性与所述同相电源线或所述反相电源线连接；电压产生模块通过所述同相电源线、所述反相电源线与多个传感器连接，并根据各所述传感器获取的环境参数调节所述同相电源线和所述反相电源线的电压。