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并联型GaN整流集成芯片及其制作方法、相关设备
申请人信息
- 申请人:河源市众拓光电科技有限公司
- 申请人地址:517000 广东省河源市高新技术开发区高新五路、泥金路西边
- 发明人: 河源市众拓光电科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 并联型GaN整流集成芯片及其制作方法、相关设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311759961.6 |
| 申请日 | 2023/12/20 |
| 公告号 | CN117747548A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L21/8252 |
| 权利人 | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 发明人 | 李国强; 曹犇 |
| 地址 | 广东省河源市高新技术开发区高新五路、泥金路西边 |
摘要文本
河源市众拓光电科技有限公司获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明涉及半导体芯片技术领域，具体公开了一种并联型GaN整流集成芯片及其制作方法、相关设备，其中，方法包括步骤：制备外延片；刻蚀所述外延片以使所述外延片上形成多个台面隔离的二极管器件；刻蚀所述二极管器件的N‑GaN层以使部分所述P‑GaN层外露；在所述二极管器件的N‑GaN层上制备阴极，在所述二极管器件的P‑GaN层的外露部分制备阳极；基于所述阴极和阳极制备并联结构连接多个所述二极管器件；该方法制作的芯片包含多个GaN基PN结二极管，相比于整流晶闸管，GaN基器件具有更高的频率范围和功率范围，能作为高频大功率整流电路的整流器件使用，并大幅度缩小整流芯片的面积尺寸。
专利主权项内容
1.一种并联型GaN整流集成芯片制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：制备外延片，所述外延片包括由下至上依次连接的衬底、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、P-GaN层及N-GaN层；刻蚀所述外延片以使所述外延片上形成多个台面隔离的二极管器件；刻蚀所述二极管器件的N-GaN层以使部分所述P-GaN层外露；在所述二极管器件的N-GaN层上制备阴极，在所述二极管器件的P-GaN层的外露部分制备阳极；基于所述阴极和阳极制备并联结构连接多个所述二极管器件。