具有3C晶型碳化硅的MOSFET及其制备方法、芯片
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 具有3C晶型碳化硅的MOSFET及其制备方法、芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311847729.8 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117524883A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H01L21/336 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 贺俊杰 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
深圳天狼芯半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有3C晶型碳化硅的MOSFET及其制备方法、芯片，其中，漏极层、N型衬底层以及N型漂移层层叠设置，且N型漂移层设置为凹形结构，通过在N型漂移层的凹槽内形成锗层然后以锗层作为缓冲层形成3C晶型的碳化硅材料，并通过向碳化硅材料中注入N型掺杂离子形成碳化硅漂移层，可以利用3C晶型的碳化硅材料提高器件的临界击穿电压，从而在保持击穿电压不变的情况下减小N型漂移区的厚度，实现降低器件导通电阻的目的。
专利主权项内容
1.一种具有3C晶型碳化硅的MOSFET的制备方法，其特征在于，所述具有3C晶型碳化硅的MOSFET的制备方法包括：在硅基底上外延生长硅材料并注入N型掺杂离子形成N型衬底，继续在所述N型衬底上外延沉积单晶硅材料形成单晶硅层，并注入N型掺杂离子形成N型漂移层；在所述N型漂移层上刻蚀形成第一沟槽以使所述N型漂移层为凹形，并在所述第一沟槽表面形成锗层；在所述第一沟槽内外延沉积3C晶型的碳化硅材料，并向所述碳化硅材料中注入N型掺杂离子形成碳化硅漂移层；其中，所述碳化硅漂移层与所述N型漂移层之间由所述锗层连接；通过离子注入工艺在所述N型漂移层两侧形成第一P柱、第二P柱，并在所述第一P柱上形成第一P型体区，在所述第二P柱上形成第二P型体区；在所述第一P型体区上形成第一N型源区，在所述第二P型体区上形成第二N型源区；在所述N型漂移层上以及所述第一P型体区、所述第二P型体区、所述第一N型源区、所述第二N型源区上的部分区域形成栅极介质层；在所述栅极介质层上形成栅极多晶硅，并继续形成栅极介质层，以包裹所述栅极多晶硅；形成与所述第一N型源区和所述第二N型源区接触的源极，并形成通过通孔与所述栅极多晶硅接触的栅极；在所述N型衬底的背面形成漏极。