一种高介电逆导绝缘栅双极晶体管及其制备方法、芯片
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高介电逆导绝缘栅双极晶体管及其制备方法、芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311834326.X |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117476459A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | H01L21/331 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 原一帆 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
深圳天狼芯半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本申请属于功率器件技术领域，提供了一种高介电逆导绝缘栅双极晶体管及其制备方法、芯片，其中，N型漂移层的正面依次形成有空穴势垒层、P型阱区，P型阱区上形成与发射极接触的第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区，N型漂移层的背面形成电势截止层以及与集电极接触的N型集电区和P型集电区，多晶硅层通过栅极介质层与空穴势垒层、P型阱区、第一N型重掺杂区以及发射极隔离，通过在多晶硅层的底部形成高K介质层，可以调节N型漂移层内的电场分布，在相同的击穿电压下，漂移层内可以通过设计更高的掺杂浓度降低漂移层中的导通电阻，进而改善器件内的电压回跳现象，还可以通过高K介质层使得漂移层可以更快耗尽，降低了器件的关断损耗。 微信公众号专利查询网
专利主权项内容
1.一种高介电逆导绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于，所述高介电逆导绝缘栅双极晶体管的制备方法包括：在硅基底的正面注入N型掺杂离子形成电势截止层；在所述电势截止层上外延沉积硅层，并通过多次离子注入工艺形成N型漂移层、空穴势垒层以及P型阱区；在所述P型阱区上的第一预设区域和第二预设区域分别注入P型掺杂离子和N型掺杂离子，形成第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区；在所述P型阱区上的第三预设区域刻蚀形成第一深槽，并在所述第一深槽内形成上表面不超过所述空穴势垒层的下表面的高K介质层；在所述高K介质层上形成栅极介质层，并在所述栅极介质层上形成多晶硅层后继续沉积栅极介质材料使得所述栅极介质层包裹所述多晶硅层；在所述硅基底的背面注入P型掺杂离子，形成P型集电区；对所述P型集电区的部分区域进行刻蚀，并沉积半导体材料后注入N型掺杂离子形成N型集电区；形成与所述第一P型重掺杂区和所述第一N型重掺杂区接触的发射极，并形成与所述P型集电区和所述N型集电区接触的集电极，形成与所述多晶硅层接触的栅极。。关注公众号马 克 数 据 网