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平面型碳化硅晶体管的结构、制造方法及电子设备

申请号: CN202311835796.8
申请人: 深圳天狼芯半导体有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 平面型碳化硅晶体管的结构、制造方法及电子设备
专利类型 发明申请
申请号 CN202311835796.8
申请日 2023/12/28
公告号 CN117497601A
公开日 2024/2/2
IPC主分类号 H01L29/78
权利人 深圳天狼芯半导体有限公司
发明人 乔凯
地址 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905

摘要文本

深圳天狼芯半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,一种平面型碳化硅晶体管的结构、制造方法及电子设备,属于半导体技术领域,包括左右对称的两个栅源结构、衬底、漂移层、第一有源区以及多个第二有源,左右对称的切面为矢状面;漂移层设置于衬底的上表面;两个栅源结构和第一有源区均位于漂移层的上表面且间隔设置;栅源结构包括第一阱、第一有源层和栅极结构;第一阱设置于漂移层的上表面;第一阱与矢状面设置预设距离;第一有源层设置于第一阱中且位于第一阱上表面;栅极结构覆盖第一阱的顶部;多个第二有源层设置于两个栅极结构之间;衬底、第二有源层和第一阱的为第一类型;漂移层、第一有源区和第一有源层为第二类型;减小导通损耗和芯片面积,增大可靠性和电流密度,简化工艺。 更多数据:

专利主权项内容

1.一种平面型碳化硅晶体管的结构,其特征在于,包括左右对称的两个栅源结构、衬底、漂移层以及第一有源区,左右对称的切面为矢状面;所述漂移层设置于所述衬底的上表面的;两个所述栅源结构和所述第一有源区均位于所述漂移层的上表面且间隔设置;所述栅源结构包括:设置于所述漂移层的上表面的第一阱;其中,所述第一阱与所述矢状面之间设置预设距离;设置于所述第一阱中且位于所述第一阱上表面的第一有源层;覆盖所述第一阱的顶部的栅极结构;所述平面型碳化硅晶体管的结构还包括:设置于两个所述栅极结构之间的多个第二有源层;其中,所述衬底、所述第二有源层和所述第一阱为第一类型;所述漂移层、所述第一有源区和所述第一有源层的为第二类型。