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绝缘栅双极晶体管芯片及其栅极电阻调整方法
申请人信息
- 申请人:深圳腾睿微电子科技有限公司
- 申请人地址:518063 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南七道23号深圳市数字技术园A3栋二层C区
- 发明人: 深圳腾睿微电子科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 绝缘栅双极晶体管芯片及其栅极电阻调整方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311384541.4 |
| 申请日 | 2023/10/25 |
| 公告号 | CN117116939B |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H01L27/06 |
| 权利人 | 深圳腾睿微电子科技有限公司 |
| 发明人 | 斯海国; 王鹏; 卓泽俊; 李翔 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南七道23号深圳市数字技术园A3栋二层C区 |
摘要文本
深圳腾睿微电子科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本申请公开一种绝缘栅双极晶体管芯片及其栅极电阻调整方法，所述绝缘栅双极晶体管芯片包括：基底；位于所述基底内的元胞区，所述元胞区内形成有阵列排布的绝缘栅双极晶体管元胞；压焊区，位于所述基底表面，通过第一导电结构电连接至所述元胞区内的各个晶体管元胞的栅极；其中，所述第一导电结构的阻值可调。通过调整第一导电结构的阻值，直接实现对栅极电阻的调整，方便灵活。
专利主权项内容
1.一种绝缘栅双极晶体管芯片，其特征在于，包括：基底；位于所述基底内的元胞区，所述元胞区内形成有阵列排布的绝缘栅双极晶体管元胞；压焊区，位于所述基底表面，通过第一导电结构电连接至所述元胞区内的各个晶体管元胞的栅极；其中，所述第一导电结构的阻值可调；所述第一导电结构包括：第一导电层，和覆盖所述第一导电层表面的第二导电层，所述第一导电层为位于所述基底内的掺杂半导体层，所述第一导电层为高阻多晶硅；所述第二导电层的电阻率小于所述第一导电层的电阻率；第二导电层完全覆盖第一导电层。