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一种具有低反向恢复电荷的AC-SJ MOS及制备方法
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种具有低反向恢复电荷的AC-SJ MOS及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311854198.5 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117497603A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 贺俊杰 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
深圳天狼芯半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种具有低反向恢复电荷的AC‑SJ MOS及制备方法，具有低反向恢复电荷的AC‑SJ MOS包括栅极扩展结构，其中栅极扩展结构包括第一栅极、第一N柱、P+层以及第一衬底。第一衬底位于漏极上方，并与漏极和P+层邻接；P+层位于第一衬底和第一N柱之间，并与第一N柱邻接；第一N柱位于第一栅极和P+层之间，并与第一栅极邻接；第一栅极位于N柱上方。本发明提供的具有低反向恢复电荷的AC‑SJ MOS在传统的SJ MOS基础上设置栅极扩展结构，减少了P柱的数量，进而减少了反向导通时在P柱中积累的电子，减少了反向恢复电荷，优化了反向恢复特性，使得器件的反向恢复电流更小，降低了器件的功耗。
专利主权项内容
1.一种具有低反向恢复电荷的AC-SJ MOS，其特征在于，包括：栅极扩展结构；所述栅极扩展结构包括第一栅极、第一N柱、P+层以及第一衬底；所述第一衬底位于漏极上方，并与所述漏极和所述P+层邻接；所述P+层位于所述第一衬底和所述第一N柱之间，并与所述第一N柱邻接；所述第一N柱位于所述第一栅极和所述P+层之间，并与所述第一栅极邻接；所述第一栅极位于所述第一N柱上方。