调谐开关电路及射频芯片

专利主权项内容

1.一种调谐开关电路，其特征在于，所述调谐开关电路包括调谐开关单元和调谐器件单元，所述调谐开关单元的输入端用于连接第一偏置电压，所述调谐开关单元的输出端连接所述调谐器件单元的输入端，所述调谐器件单元的输出端用于连接天线；所述调谐开关单元包括第一电阻、第一晶体管、第二电阻和第二晶体管；所述第一电阻的第一端和所述第二电阻的第一端连接并共同作为所述调谐开关单元的输入端，所述第一电阻的第二端连接所述第一晶体管的栅极，所述第一晶体管的漏极连接所述调谐器件单元的输入端，所述第一晶体管的源极连接所述第二晶体管的漏极，所述第二电阻的第二端连接所述第二晶体管的栅极，所述第二晶体管的源极接地；所述第一晶体管的衬底和所述第二晶体管的衬底分别用于连接第二偏置电压，所述第二偏置电压用于分别控制所述第一晶体管和所述第二晶体管的阈值电压；其中，所述第一电阻的阻值大于所述第二电阻的阻值；所述第一晶体管的栅宽大于所述第二晶体管的栅宽；所述第一晶体管的栅长大于所述第二晶体管的栅长；所述调谐开关单元包括n个电阻和n晶体管，第n电阻的第一端连接至所述第一电阻的第一端，所述第n电阻的第二端连接至第n晶体管的栅极，所述第n晶体管的漏极连接至第n-1晶体管的源极，所述第n晶体管的源极接地；所述第n晶体管的衬底用于连接所述第二偏置电压；其中，n≥3；所述第n电阻的阻值小于第n-1电阻的阻值，所述第n晶体管的栅宽小于所述第n-1晶体管的栅宽，所述第n晶体管的栅长小于所述第n-1晶体管的栅长；所述第一晶体管至所述第n晶体管采用非均匀堆叠晶体管的方式连接形成晶体管，最靠近所述天线的输入端的晶体管其栅长最大，所述晶体管的导通阻抗值如下公式：其中，Ron为n个所述电阻连接后的导通电阻值，gm为所述晶体管的跨导，u为所述晶体管的载流子迁移率，Cox为所述晶体管单位面积的栅氧化层电容，Vgs为所述晶体管的栅源电压，Vth为所述晶体管的阈值电压，W为所述晶体管的栅宽，L为所述晶体管的栅长。n